Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的结构设计与性能

空间近日等强辐照造成的高温严重影响光伏电池的转化效率,同时造成辐射能量的浪费.以单晶Si光伏电池和Bi2Te3热电电池为基本单元,构建Si-Bi2 Te3光热耦合电源器件模型.采用有限元分析法分析特定辐射条件下Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的热分布情况,并结合光伏电池与热电电池的温度特性进一步计算了器件的转化效率.结果显示,Bi2Te3热电池的存在一定程度上降低了Si光伏电池的工作温度,在空间环境下Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的转化效率相对于单一的Si光伏电池有2％ ～3％的提高.最后讨论了该器件Si光伏电池和Bi2Te3热电池的功率输出方式.     

低密度校验码的蚕食算法线性编码

首先论证了通过执行行列置换，将稀疏奇偶校验矩阵H变成近似下三角矩阵H^T，同时应用以对角扩展处理为核心算法的蚕食算法使编码的复杂度可控制为线性的。接着论述了蚕食算法的3个阶段：启动阶段、主要三角矩阵变化阶段、清除阶段，当算法结束时校验节点将以O(√n)的高概率剩余，即g将以极高的概率小于O(√n)。     

GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟

用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGS=0,VDS=35 V时,漏源电流为47 A/cm,跨导为300 mS/mm,电流截至频率为150 GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。     

垂直电场作用下的钎锌矿相GaN电子输运特性的Monte Carlo研究

在GaN NMOSFET中,沟道电子由于受垂直于其运动方向电场的作用而产生界面散射,从而影响MOSFET特性.研究采用Monte Carlo体模拟方法计算钎锌矿相GaN材料在界面散射下的电子输运特性.模拟中在电子漂移方向加一个水平电场,同时在与其垂直的方向加另外一个电场,在垂直电场作用下,电子发生界面散射.采用基于指数...     

消去短环的LDPC码校验矩阵的构造

在基于Tanner图的基础上分析了短环对LDPC迭代译码准确性和有效性的影响，论述了短环的检测方法，并且给出了一种有效消去周长为4的短环的校验矩阵H的生成算法，并且对该算法构造的校验矩阵进行了仿真分析。     

基于AERL的低功耗绝热JK触发器的研究

提出了一种低功耗的绝热JK触发器电路。在绝热AERL(Approved Energy Recovery Logic)反相器电路的基础上,提出了AERL反相器级联及AERL JK触发器的实现方法。在0.5微米PTM工艺下用Spice工具对提出的电路进行了模拟仿真。结果显示与传统的CMOS JK触发器和ECRL JK触发器相比,AERL JK触发器具有更低的功耗。