双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究

研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子探测器。     

热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响

主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。     

GaAs粒子探测器的抗辐照特性研究

报道了一种面积为９ｍｍ＾２的ＧａＡｓ肖特基势垒粒子探测器，其反向耐压高于４００Ｖ，反向漏电流低于１２５ｎＲ（ＶＲ〈－１５０Ｖ）。器件经受能量为３ＭｅＶ，剂量为５００ｋＧｙ的电子辐照后，反向漏电流为２７０ｎＡ（ＶＲ＝－１５０Ｖ）。说明在高能物理和核物理中很有应用前途。     

GaAsMSM光电探测器中电子渡越时间研究

根据 GaAs 材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了 GaAs MsM光电探测器电极间电子渡越时间与掺杂浓度 N_D、栅宽 L_g 和工作电压 V 的关系,结果表明,MSM-PD 电极间电子渡越时间存在极小值。对于电极间距离为3.0μm的 MSM-PD,掺杂浓度为1×10~(14)cm~(-3)的MSM-PD。工作电压为2倍平带电压时,电子渡越时间处于极小值。研究结果为设计高速响应 GaAs MSM 光电探测器及建立器件光电响应模型提供了依据。     

低阻Mo/WSi_x/GaAs复合难熔栅研究

W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备.     

钨氮化物薄膜与GaAs接触热力学稳定性

从反应热力学计算的角度，对ＷＮｘ／ＧａＡｓ界面可能存在的界面反应，进行了估计和讨论，结果表明，ＷＮｘ薄膜在ＧａＡｓ衬底上是稳定的，这种热力学稳定性是薄膜和衬底界面接触电学性能稳定性的基本保证，实验现象与此结果相一致。     

GaAs上反应溅射WN_x薄膜特性研究

本文用反应溅射方法,制备了WN_x薄膜,用X光衍射、俄歇能谱深度成分分析、表面电阻测量及电流—电压曲线,测量、研究了WN_x薄膜的性能及与GaAs的肖特基势垒特性.     

互动电视之用户习惯分析

国内数字电视的发展已有数年,截至2008年5月的数据．中国数字电视用户已经达到3627万。尽管看上去已经发展了庞大的用户规模,但事实上仍然困难重重。把各种各样的困难归结起来,其中很重要的一点就是“用户习惯”。