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幸炳华 《固体电子学研究与进展》1982,(1)
<正>在厘米波段,中等带宽的混合集成FET放大器的输入电路形式大致可有:1.离器件(FET)有一定相移长度的线段,使FET输入阻抗实数化,再经λ/4阻抗变换器与信号源获得低噪声匹配.2.在器件的输入处并联一段阻抗及其长度合适的短截线,使FET输入阻抗实数化,再经λ/4阻抗变换器与信号源获得低噪声匹配.3.主传输线在靠近器件输入处的特性阻抗及其电长度有一合理的数值,使FET与信号源获得低噪声匹配.4.在不清楚器 相似文献
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幸炳华 《固体电子学研究与进展》1986,(2)
本文叙述在17.5~18GHz频带工作的低噪声场效应晶体管放大器之实用设计及其性能.放大器包括三级级联微带放大电路和波导输入/输出端口,获得了4.5dB的噪声系数和17dB的总增益. 相似文献
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