一种用于大功率D类功率放大器的快速启动LDO

D类放大器的输出级晶体管始终工作在开关模式,效率很高,在便携式电子领域得到广泛应用.采用CSMC 0.5 μm BCD工艺,设计了一款应用于大功率D类放大器的低压差线性稳压器,对其结构和工作原理进行分析,重点讨论了各个关键电路模块的设计,改善了电源抑制比和启动时间.LDO的PSRR为100 dB @ 1 kHz,启动时间18 μs,负载能力225 mA,工作电压范围5.5～18 V,最小压差0.5 V,温度系数54×10-6/℃.     

应用于双频GPS接收机的CMOS低噪声放大器设计

结合双频GPS接收机的主要性能,提出了第一级低噪声放大器实现方案和电路实现方式.通过对影响单端LNA性能主要因素的分析,在电路结构和封装打线方式上进行改进,实现了低噪声系数高转换增益的单端LNA,从而提高了接收机灵敏度和噪声性能.     

一款应用于GPS的CMOS低功耗高增益LNA

针对当前应用于GPS射频前端的LNA存在的不足,设计了一种新型的LNA.从电路结构、噪声匹配、线性度、阻抗匹配、电压增益以及功耗等方面详细讨论了该低噪声放大器的设计.电路采用CMOS 0.18μm工艺实现,经过测试,低噪声放大器的增益为40.8dB,噪声系数为0.525dB,PldB为-29.5dBm,1.8V电压下的消耗电流仅为1.4mA.电路性能充分满足应用要求.     

CMMB系统中RSSI电路设计

为了设计一款应用于中国移动多媒体广播标准(CMMB)系统射频前端的限幅器电路及场强指示器电路, 提出一种新的直流失调补偿方案, 该方案采用分段反馈原理实现限幅器内抵消直流失调部分电路的片内集成并且对直流失调量能起到有效抑制.该电路采用台集电（TSMC）0.18 μm 互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺实现,测试结果表明,该限幅器达到64 dB的电压增益,可以对载波为5 MHz﹑带宽为9.9 MHz的中频信号进行放大;场强指示器的动态范围大于70 dB,场强检测的误差小于3 dB,符合CMMB标准接收机系统对信号强度指示电路（RSSI）电路的设计要求.     

双模式复数滤波器电路设计

采用0.18μm CMOS工艺,实现了一款中心频率和带宽可调节的OTA-C复数滤波器.通过设置控制字,可以控制复数滤波器的带宽和中心频率,形成窄带和宽带两种模式.滤波器的带宽设计为5 MHz和25 MHz,中心频率分别为4 MHz和15.4 MHz.窄带滤波器镜像抑制大于30dB(测试),宽带滤波器镜像抑制大于40 dB(仿真).设计中,采用了基于VCO锁相环结构的片上频率修正电路.滤波器消耗的总电流分别为1.7 mA和2.5 mA.仿真结果与测试结果非常吻合.     

一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器

基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器,其输入输出均匹配到50Ω。加入封装、ESD电路和PAD模型,采用Cadence Spectre RF进行仿真。结果显示,在1.8 V工作电压下,1.575 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.9 dB、18.2 dB和5.7 mA;1.2 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.8dB、16.8 dB和5.3 mA。     

多模式卫星导航接收机中双频段LNA设计

设计出一款应用于多模式卫星导航接收机射频前端的双波段LNA,该电路可以工作在1.575GHz和1.267GHz两个波段附近,覆盖了当今各种卫星导航系统的载波频段.LNA的输入阻抗和输出阻抗均被匹配到50Ω,电路采用0.18μmCMOS工艺实现.测试结果表明该电路在1.575GHz和1.267GHz两个波段上噪声系数分别为0.88dB和0.78dB,功率增益分别为25.5dB和25.9dB,S11分别为-16dB和-12.5dB,1dB压缩点分别为-23.4dBm和-23.6dBm,1.8V供电电压条件下静态工作电流均为4.0mA.电路在上述两个频段上稳定性均满足要求.     

一种适用于低中频和零中频GPS接收机的CMOS混频器

基于0.18 μm RF CMOS工艺,设计了一种可用于低中频和零中频GPS接收机的CMOS正交混频器.通过固定电流注入技术,减小了混频器的噪声系数.将混频器的开关管偏置在线性区,可进一步降低混频器的1/f噪声,适用于零中频接收机.在1.8 V的工作电压下,由Cadence Spectre RF仿真可得,混频器的转换增益为7.1 dB,而4 MHz和20 kHz中频输出的SSB噪声系数分别为8.7 dB和12.3 dB.     

一款应用于GPS接收机的抗失配零中频混频器

为了解决单正交零中频混频器I/Q失配造成的影响,提高自身镜像抑制能力。基于电位混频原理采用CMOS 0.18μm工艺设计出一款工作在1.575 42GHz双正交结构的抗失调零中频混频器,通过添加四个电容构成MOSFET-C低通滤波器以及两个在低频段工作的运放构成的输出放大级,射频输入信号能够得到有效处理。测试结果表明该结构在镜像抑制能力上比传统结构改善了6dB左右,电路采用1.8V供电电压,功耗为3.6mW,1MHz频点附近的噪声系数约为17dB,1dB输入压缩点为14.6dBm。     

一种应用于GPS接收机的低功耗CMOS频率合成器

提出了一种应用于GPS/Galileo L1/E1波段接收机的低功耗频率合成器,并成功在0.18 µm CMOS 工艺中实现。通过在锁存器的输出端引入时钟控制管,高速源耦合逻辑预分频器相比传统结构,最高分频频率得到提高。测试结果显示,该频率合成器在1.8V的电源供电情况下消耗电流6 mA,带内相噪小于-87 dBc/Hz(15 KHz频率偏移处),杂散小于-65 dBc,核心电路面积0.6 mm2。