宽带GaAs PHEMT VCO设计

分析了宽带VCO的设计原理,阐明了设计步骤,采用双变容二极管的新型结构设计了2～4GHz、4～7GHz、7～12GHz和12～18GHz四个宽带GaAsVCO芯片以完全覆盖2～18GHz频段。仿真结果表明本文设计的VCO具有频带宽、负载牵引小、结构简单的特点,有很好的应用价值。     

一种新型宽波束圆极化天线的设计

本文提出了一种新型的螺旋结构的天线，将角锥螺旋与四臂螺旋的结构巧妙的结合起来，并采用了自相移结构及渐进式的平衡馈电，经有限元法对其辐射特性进行分析和实测，结果都说明该种天线在实现宽波束圆极化的同时展宽了频带，且结构简单。     

GaAsFET大信号等效电路参数提取

将新型算法—退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取,给出了具体流程并提取了器件的模型,结果表明该算法快速可靠,文中为提取大信号模型提供了新的方法,并扩展了遗传算法的应用。     

SOLT校准法在MMIC去嵌入问题中的应用

单片微波集成电路(MMIC)在当今电子业的巨大推动下得到迅速的发展,其中器件测试方法的准确度直接影响到模型库的建立,并进一步关系到产品的成本、周期和监测等问题.传统的MMIC去嵌入方法是基于等效电路模型进行网络参数剥离,随着新的化合物材料的应用使器件的工作频率不断提高,这时传统方法会带来很大误差.本文引入了SOLT校准方法利用误差网络来实现去嵌入,并给出测试方法的步骤,流片试验结果分别同三维全波电磁场仿真比较,证明本文的校准方法更具准确性和实用性.