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介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ,采用全耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作,平面凹槽工艺,最小线宽１μｍ,输入与ＥＣＬ电平兼容,输出能驱动５０Ω负载,最大静态功耗９００ｍＷ。 相似文献
3.
在GaAs IC的实际制作中,通过采用氯代苯对AZ-1350J光刻胶进行表面韧化处理,得到一近似的负窗孔,并在二次连线时,成功地剥出了最小间距为4μm和最细线条为3μm的TiPtAu条。 相似文献
5.
研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路,该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式,０．８μｍ栅工艺,全离子注入平面工艺,单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果：最大驱动电流可达４５ｍＡ,数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。 相似文献
6.
介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
7.
叙述了用电容二极管场效应逻辑电路形式制作的二输入或非门电路。该电路能很好地解决输入输出与SiECL电路相兼容以及输出能驱动50Ω负载的问题。封装后的电路延迟为300～500ps,功耗小于50mW。 相似文献
8.
为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
9.
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。 相似文献
10.
本文对门阵列的子单元和电源线的布局结构进行了分析,用图论理论对通道和二次布线做了研究。给出了门阵列子单元和电源线的合理化布局,所需通道的最少数和二次布线长度最短的方法。 相似文献
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