宽带低相噪双核压控振荡器

基于同相耦合拓扑结构,分析并设计了一款双核压控振荡器(VCO)。该电路通过将两个相同VCO 核 的输出同相相连,实现了在不降低谐振腔Q 值和输出信号幅度的前提下,将谐振腔的有效电感值减小一半,从而降 低了输出信号的相位噪声。该芯片采用 TPS 65 nm RFSOI CMOS 工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为1. 04 mm2。 测试结果表明,该VCO 可以在8. 600~12. 148 GHz (34. 2%) 的宽频带范围内连续工作,并在8. 841 GHz 处测试 的相位噪声为-108. 63 dBc/ Hz@ 1 MHz。当电源电压为1. 2 V 且不考虑测试缓冲器时,该双核VCO 消耗电流为 9. 2~11. 1 mA,对应含调谐范围的优值(FOMT)为-183. 39 ~ -187. 13 dBc/ Hz。