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采用0.18 μm GeSi BiCMOS工艺,通过调节中心抽头位置、设计八边形螺旋电感、添加屏蔽层、优化线圈外径与金属线宽等方法,设计了一种平衡性好、插入损耗小的片上巴伦。创新性地在HFSS模型中引入GSG焊盘,避免了去嵌入处理的复杂计算与计算误差。仿真结果表明:在500 MHz频率处,电路的插入损耗为3.5 dB,幅度不平衡度为0.13 dB,相位不平衡度为0.38°;在4 GHz频率处,插入损耗为1.8 dB,幅度不平衡度为1.62 dB,相位不平衡度为2.85°。对样品的S参数幅度及相位进行测试,实测结果与仿真值吻合。该巴伦可应用于500 MHz~4 GHz的超宽带正交调制器中,具有较好的应用前景。 相似文献
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