A novel HBT trigger SCR in 0.35 μm SiGe BiCMOS technology

The silicon-controlled rectifier (SCR) device is known as an efficient electrostatic discharge (ESD) protection device due to the highest ESD robustness in the smallest layout area. However, SCR has some drawbacks, such as high trigger voltage and low holding voltage. In order to reduce the trigger voltage of the SCR device for ESD protection, a new heterojunction bipolar transistor (HBT) trigger silicon controlled rectifier (HTSCR) device in 0.35 μm SiGe BiCMOS technology are proposed. The underlying physical mechanisms critical to the trigger voltage are demonstrated based on transmission line pulsing (TLP) measurement and physics-based simulation results. The simulation results prove that the trigger voltage of the HTSCR is decided by the collector-to-emitter breakdown voltage of the HBT structure in floating base configuration. The ESD experiment test results demonstrate the HTSCR can offer superior performance with a small trigger voltage, an adjustable holding voltage and a high ESD robustness. In comparison to the conventional MLSCR, the trigger voltage of the fabricated HTSCR can reduce to less than 50% of that of the MLSCR, and the I_t2 of the HBT trigger SCR is 80% more than that of the MLSCR.     

基于北斗卫星定位的开放实验平台开发

本文针对“卫星导航原理与应用”课程的需要,研发了基于北斗卫星定位的开放实验平台.本实验系统主要是由GPS/北斗模块、GPRS/GSM模块、ARM及其外围电路组成.学生通过本实验,不但可以对“卫星导航原理与应用”课程的知识有更深入的掌握,而且可以学习硬件系统的设计和软件系统的开发.     

窄带信号波达方向估计仿真实验

波达方向估计是阵列信号处理一个重要的研究分支,广泛地应用于军事及民用领域.基于空域信号自身具备的稀疏性,压缩感知理论为窄带信号波达方向估计提供了一种新的思路.通过本文设计的仿真实验,学生可以建立远场窄带测向模型,并对基于块稀疏算法的窄带测向和相干非相干信号块稀疏混合测向仿真.     

“微电子器件”课程三元教学法的研究

本文介绍在“微电子器件”的课堂教学中,将课堂讲授、实验测试和器件仿真三种教学方法有效地结合起来,形成“微电子器件”课程的三元教学新方法,使学生从被动学习变为主动的、创造性的学习,有效加深学生对器件物理机制的理解,提高教学质量.本文对“微电子器件”课程教学有一定的指导作用.     

指纹识别的二值化和细化的DSP实现

本文针对指纹图像二值化和细化的DSP实现,采用适合于DSP的局部域值自适应算法的二值化和一种改进的OPTA算法的细化,并且在二值化和细化后都加上去噪处理,获得更满意的结果.     

一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件

提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。     

一种用于静电保护的快速开启SCR器件

提出了一种用于提高静电泄放(ESD)保护器件开启速度的SCR器件(VSCR)。VSCR采用了新型的横向基区变掺杂结构(VLBD),其开启速度主要由寄生p-n-p和n-p-n晶体管的基区渡越时间决定,使用VLBD结构能够减小寄生双极型晶体管的基区渡越时间,从而提高SCR器件的开启速度。实验结果证明,在不增加掩膜版数量和芯片面积的前提下,相比于传统均匀基区掺杂的MLSCR器件,采用VLBD结构的VSCR器件的开启速度能够提高12%。