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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 总被引:2,自引:0,他引:2
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 结晶更好 相似文献
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利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As)化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。 相似文献
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金刚石在很多领域有着广泛的用途[1] ,因而金刚石的生长技术历来受到重视。在众多的生长技术中 ,质量选择粒子束 (MSIBD)是一个引人注目的生长技术[2 ] 。但是这一方法能否得到金刚石 ,尚未有明确的结论。我们利用高分辨电子显微镜结合电子能量损失谱 ,观察了用这一方法制备的样品 ,以期为研究金刚石的生长机理提供更多的线索。实验碳离子沉积在 (111)硅衬底上 ,沉积方法另文介绍[2 ] 。离子能量 10 0 0eV ,衬底温度 80 0℃。电镜观察用的平面和截面样品用通常的方法制备 ,具体如下 :样品粘在 3mm的铜圈上 ,先用SiC砂纸磨薄 ,然… 相似文献
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