蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.     

蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.     

通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料

AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用。提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对AlGaN材料的MOCVD外延生长具有重要的指导意义。     

二次退火对p型GaN的应变影响

采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理.利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨.结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性.     

高密度数值方法在大桥跨越河流选址上的应用

结合巴河大桥工程概况,选用了高密度方法,分析了电法工作中的干扰类型和干扰来源,重点对高密度方法所采取的数据采用数值计算处理,通过对资料的解译,摸清了整个详查区的工程地质概况。     

蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长

采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层.Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒.当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后, AlGaN 外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高.     

基于DSP的伪随机多频激电接收机的研究

分析了伪随机多频激电法数据采集系统的基本原理,结合其特点及对数字信号处理的要求,设计了基于DSP的伪随机多频激电接收机.可方便地实现多种信号处理算法.电法勘探过程中的数据采集、信号处理和计算均在DSP中完成.     

2005—2010年湖南锡矿山矿区生态系统空间格局变化分析

利用地理信息系统与遥感技术,对2005—2010年湖南省永州市锡矿山矿区生态系统空间格局变化特征进行了定量分析。结果表明,矿区植被面积逐渐减小,而矿山设施、矿山地质灾害、矿区敏感物和采矿场的面积则有所增加;矿区各类型的生态系统之间存在着相互转换的现象,但相互转换的面积并不大;基于景观指数方法的分析发现矿区生态系统的斑块数、各类别的边界密度、生态系统斑块密度均呈现增大趋势,而矿区聚集度指数整体呈现缓慢下降的趋势。     

Verhulst反函数模型滑坡起始预测时刻的选择

 Verhulst反函数模型用于滑坡预测的关键在于起始预测时刻t0的选择。针对用定量计算方法选择t0,研究模型中对数函数自变量存在出现负值的问题。计算所有t0满足模型要求的累计位移和相对位移预测数据,形成预测曲线,通过分析预测曲线与实际监测曲线选择起始预测时刻t0值,得出其选择的主要原则：(1) 预测位移在观测序列点n和n +1处成立;(2) 预测累计位移曲线与实测曲线形态相似;(3) 预测相对位移与实测相对位移在点n处差值最小。多种已知滑坡试验表明：其临滑时刻的预测精度可以达到1个时间间隔以内,t0选择方法是有效的。     

高温AlN模板上p型GaN的生长研究

利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.