沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究

空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应（SEE）,单粒子效应中单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力。     

烘箱HMDS预处理程序优化

烘箱HMDS预处理系统在提高光刻胶与硅片的黏附性方面具有很多优越性。文章通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、PRIME时间、PRIME后保持时间等参数的优化实验,得到了最佳的烘箱HMDS预处理程序。通过提高烘箱工作温度（150C）、减少PRIME时间（0．5min）和增加PRIME后保持时间（5min）,最终降低了HMDS处理后的硅片接触角,进而降低了光刻胶28％的用量。本方法已经验证在本次开发中,其工艺稳定,完全适用于生产线量产。     

基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现。通过工艺流片验证,器件特性良好。