一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现

从生物神经元的电化学特性出发,基于积分发放(I&F)电路理论模型,提出了一种新型的结构紧凑的脉冲编码CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串.该模型的优点在于大大简化了模型结构,其运行结果很好地拟合了神经元的生理特性,且在工艺参数不可调节的情况下,可通过输入信号灵活控制电路结构,改变输入耦合权重,从而实现对输...     

冲天炉热风换热器的比拟设计法

本文总结了冲天炉炉气余热回收热风换热器的比拟设计法，对比拟法的设计原理进行了分析，并且给出了一个模型换热器和设计实例。     

冲天炉热风换热器的设计

本文论述了冲天炉炉气余热回收热风换热器设计中的一些基本问题,对设计中涉及介质物性参数、炉气热能和成分等问题作了较全面的归纳总结,同时介绍了热风换热器的材料选用、结构设计等,并给出了设计实例。     

Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs

Comparisons are performed to study the drive current of accumulation-mode(AM) p-channel wrap-gated Fin-FETs.The drive current of the AM p-channel FET is 15%-26%larger than that of the inversion-mode (IM) p-channel FET with the same wrap-gated fin channel,because of the body current component in the AM FET, which becomes less dominative as the gate overdrive becomes larger.The drive currents of the AM p-channel wrap-gated Fin-FETs are 50%larger than those of the AM p-channel planar FETs,which arises from effective conducting surface broadening and volume accumulation in the AM wrap-gated Fin-FETs.The effective conducting surface broadening is due to wrap-gate-induced multi-surface conduction,while the volume accumulation,namely the majority carrier concentration anywhere in the fin cross section exceeding the fin doping density,is due to the coupling of electric fields from different parts of the wrap gate.Moreover,for AM p-channel wrap-gated Fin-FETs, the current in channel along <110> is larger than that in channel along <100>,which arises from the surface mobility difference due to different transport directions and surface orientations.That is more obvious as the gate overdrive becomes larger,when the surface current component plays a more dominative role in the total current.     

悬吊安装式圆盘给料机

1前言圆盘给料机是铸造车间常用的给料设备，在安装方面，目前有两种基本形式，即底座式与悬吊式，其中以前者最为常见。底座式安装的圆盘给料机，需要构筑一定的基础，同时整机的配套性较差，用户一般要配制加料口、调节套、卸料刮板、围圈等。因此这种圆盘给料机安装费用高、安装耗时多，同时由于安装底座的缘故，工艺布置的灵活性也受到了很大的限制。目前现有的悬吊安装式圆盘给料机（例如DB型）在整机配套性方面有了很大改善，但是采用的悬吊安装方案存在着明显的局限性，安装时需配制专门的梁架，同时结构也嫌复杂，不易实现多口卸料…     

硅基太阳电池的表面纳米织构及制备

综述了用于硅基太阳电池高效陷光的四种表面纳米织构,即金属纳米颗粒、纳米线、纳米锥和纳米孔。相对于其他三种表面纳米织构,纳米孔具有更好的结构特性和陷光能力。详细介绍了各种表面纳米织构的制备方法,如金属薄膜退火、金属诱导化学腐蚀、干法刻蚀、深紫外光刻和纳米球光刻等。通过表面纳米织构提高效率是太阳电池领域的重点研究内容。表面纳米织构以其优异的光电特性,将在未来高效光伏器件中得到重要应用。     

纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构

介绍了在进入22 nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构.首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率;最后介绍了悬浮硅纳米...     

积累模式p沟道SOI基围栅Fin-FET驱动电流的研究

通过比较,研究了积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比具有同样结构的反型模式p沟道Fin-FET的驱动电流大15% ~ 26%,这是因为前者存在体输运,但随着栅极偏压的增大体输运电流的比重逐渐减小。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比积累模式p沟道平面FET的驱动电流大50%,这起因于前者有效输运表面的展宽和体积累。其中有效输运表面展宽源于围栅结构感应的多表面输运,而体积累（即Fin截面中任何位置的多子浓度超过了掺杂浓度）源于围栅结构不同方向上电场的耦合。另外,对于积累模式p沟道围栅Fin-FET,由于不同输运方向和输运表面迁移率的差别,沟道沿<110>方向比沿<100>方向有较大的驱动电流,这在较大的栅极偏压使表面输运电流在总电流中占主导时变得更为明显。     

Si纳米线场效应晶体管研究进展

从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。     

增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。