GaAs光电导探测器

研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1．6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽（FWHM）进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。