一种适用于LDO的新型斜坡软启动电路

提出了一种新型的应用于低压差线性稳压器(LDO)的斜坡软启动电路,其采用两路斜坡使能信号以及一路斜坡基准信号,消除了电源上电时产生的浪涌电流。该斜坡软启动电路已应用于一款LDO中,并采用0.35 μm CMOS 工艺实现流片,其仅占LDO有效面积的8.3%,消耗电流仅600 nA。仿真以及测试结果显示,采用该软启动电路之后,LDO的上电浪涌电流得到有效抑制。LDO在最差情况下的线性调整率为2.7 mV/V,负载调整率为0.064 mV/mA。     

一种-100 dB电源抑制比的非带隙基准电压源

该文提出一种非带隙基准电路,通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压,为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗,有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0.35 m CMOS 工艺设计并流片,测试结果表明,该电路的工作电源电压为1.8~5 V,静态电流约为13 A。低频处电源抑制比(PSRR)约等于-100 dB,在小于1 kHz频率范围内PSRR均优于-93 dB。并且其片上面积仅为0.013 mm2。