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采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2 h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70 eV。 相似文献
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LixMnO2正极材料的合成及其电化学特性 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了近年来LixMnO2正极材料的最新研究成果,归纳了合成层状结构的LixMnO2的主要方法,评述了该体系材料的电化学特征。 相似文献
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本文针对 2 2 5Cr- 1Mo钢焊接后产生裂纹的原因进行了分析 ,结果表明产生裂纹的主要原因是氢浓度过高而引起的氢致延迟裂纹 ,并根据实际的产品特点提出了合适的返修措施。 相似文献
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将传统的电解充氢装置加以改进,并以改进的充氢装置对2 1/4Cr-1Mo-V钢进行氢致开裂试验.通过改变各种充氢参数进行氢致开裂试验,试验结果表明钢中的氢浓度是影响材料氢致开裂的重要因素. 相似文献
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综述了近年来 L ix Mn O2 正极材料的最新研究成果 ,归纳了合成层状结构的 L ix Mn O2 的主要方法 ,评述了该体系材料的电化学特征 相似文献
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采用磁控溅射方法在不同时间下沉积了Zn薄膜,接着先后在200℃和400℃温度下的硫蒸气和氩气氛中进行了低温硫化退火,时间都为1 h,最后得到不同厚度的六方相ZnS薄膜。以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征。研究表明:随着Zn沉积时间的增加,硫化制备的ZnS薄膜的晶粒尺寸、光透过率、带隙、S/Zn摩尔比都发生了明显变化,但变化趋势不同。并且,对其低温硫化生长ZnS薄膜的机理进行了讨论。此外,硫化前的抽真空处理可以明显改善ZnS薄膜的质量。所有低温硫化制备的ZnS薄膜在400~1100 nm范围光透过率约为70%,带隙值为3.49~3.57 eV。其中,3 min沉积的Zn在抽真空后低温硫化生长的ZnS薄膜质量最佳。 相似文献