用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响

本文用场效应法测量了不同退火温度时的 I_D—V_G 关系,示出了 a-Si:H 场效应管的特性。在 Ar 气保护下,经500℃退火的样品的场效应特性在负栅压方面有较大的改善,测得了从积累到反型的几乎整个 I_D—V_G 关系,发现在距迁移率边缘0.4eV 附近有 N(E)的峰值。