Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器

利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。     

有切断区的注入式正交场放大器的小信号理论

本文应用计及空间电荷效应的小信号薄电子注理论,建立了有切断区的注入式正交场放大器的物理模型,并导出了其增益及相移计算公式。式中包括了空间电荷效应、线路衰减及电子与波非同步的影响。切断区的作用可归结为引入了“切断跌落”及“切断相移”。由于切断区中存在着正交场空间电荷波增益效应,“切断衰减”有可能出现负值,从而成“切断增益”。最后,用零长度切断区模型分析了切断区位置对整管增益的影响。     

分布反馈式半导体激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析

本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型（ＩＣ）、λ／４相移折射率耦合型（ＱＷＳ）及增益耦合型（ＧＣ）ＤＦＢ激光器作为光源部分的激光器／调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性，在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析．ＧＣ型器件的调制频移特性与ＩＣ及ＱＷＳ型器件基本相同，而ＧＣ型器件的单模选择能力比ＩＣ和ＱＷＳ型器件高得多，特别在ＨＲ－ＡＲ镀膜情况下，单端光输出效率大为提高，且考虑到ＧＣ型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化     

适于长距离、高速率光纤通信系统的Ti：LiNbO_3M－Z型强度调制器

本文报道了１．５μｍ波长高速Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ_３Ｍ－Ｚ型强度调制器的设计、制作、封装和检测。所得包装式器件的性能指标为：插入损耗６．７ｄＢ，开关电压７．３Ｖ，３ｄＢ调制带宽８ＧＨｚ，消光比—２１ｄＢ。     

含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合．利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率．     

液态金属离子源聚焦离子束系统在微米/纳米技术中的应用

随着微米／纳米科学技术的发展,微细加工微区分析所用的主要技术之一－聚焦离子束技术引人注目。本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能,着重报道了近来该技术下述领域中的应用。     

单脉冲微波功率与能量的量测

讨论了应用电磁波的辐射压力在空间测量微波功率，特别是单次脉冲高功率微波的峰值功率和能量的方法。设计了一个测量空间辐射压力的悬挂系统扭秤。对于该悬挂系统进行了系统模拟，给出了测量微波辐射压力的定性实验结果。证明该方法是可行的。     

有切断区的注入式正交场放大器大信号理论与计算

在高增益的注入式正交场放大器中,慢波线中的切断区是必不可少的。本文提出了一个关于密度调制电子注经过切断区内的漂移过程及在切断区出口慢波结构上重新感应激励高频场的物理模型,给出了数学推导和理论公式,编制了FORTRAN语言的计算机程序,计算结果相对与实验的误差为7％～20％;一系列计算结果显示了切断区长度、位置及切断区内电子漂移过程对输出功率的影响。本文提出的计算方法和计算机程序,可供此类器件的计算机辅助设计之用。     

静磁表面波(MSSW)延迟线耦合器辐射阻抗和插入损耗的研究

本文介绍了测量静磁表面波(MSSW)延迟线辐射阻抗的方法,得到辐射阻抗与一些因素的关系,并与理论计算值进行了比较。文章还给出器件插入损耗的测量结果。最后说明辐射阻抗对器件的插入损耗、工作频带等特性的影响。     

声显微镜的现状和发展

本文综述了声显微镜(主要是机械扫描声显微镜)的特点、现状和进展。文中介绍了声显微镜的工作原理、常用结构,和设计公式。声显微镜观察到的象是物质的力学参量象,它是一种很有潜力的对物体内部结构进行观察的手段。当前的主要工作是扩展其基本功能,以及如何实现内部成象等。