排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
基于0.5μm CMOS工艺设计了一款LED恒流驱动芯片。该设计实现了9V~40V的输入电压,同时通过外置反馈电阻实现了电流的可调,电流范围可从10m A变化至80m A;通过验证实现了在不同工艺角下,当温度不变而输出电压从1V变化到8V的情况下,10m A和80m A电流变化误差均约±0.6%;在不同工艺角下,当输出电压不变而温度从-40℃变化到125℃时,10m A电流变化误差约为±1.5%,80m A电流变化误差约为±1.15%。设计主要包括校准器、带隙基准电路、输出运放结构以及过温保护电路,并对各个电路做详细分析。 相似文献
2.
3.
采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线心电图检测系统的5阶Gm-C巴特沃斯低通滤波器,滤波器的综合采用流图法模拟无源LC梯形网络结构。基于MOS晶体管的亚阈值导电性以及源级负反馈的线性化技术,设计了一种低功耗、高线性的OTA。仿真结果显示,滤波器-3 dB截止频率为256 Hz,当输入频率为100 Hz,Vpp为100 mV的正弦信号时,滤波器3阶谐波失真为-56.91 dB,阻带衰减率达到99.77 dB/dec,静态功耗为0.8 mW。 相似文献
4.
设计了一种应用于流水线型模数转换器的14位100 MHz采样保持电路,并在电路设计中,提出了一种改进型的栅压自举采样开关电路。在不增加电路复杂性的情况下,栅压自举采样开关电路可以有效地增加采样开关管的开启时间和关断时间,以及电路的可靠性。采样保持电路采用电容翻转式结构,以及采用增益提高的全差分折叠式共源共栅跨导放大器来实现。采用SMIC 1.8 V/3.3 V 0.18 μm 1P6M CMOS工艺对电路进行设计与仿真。仿真结果显示,在10.009765 MHz输入信号,100 MHz工作频率下,输出信号的无杂散动态范围(SFDR)为95.9 dB,与传统自举开关相比,提高了16.3 dB。 相似文献
1