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研究了层状半导体材料GaSe在强激光激发下基本吸收边和激子的光学非线性,确认激子-激子散射过程及激子屏蔽是引起这种非线性的主要机制。 相似文献
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通过红外光谱、差示热分析谱和核磁共振谱研究了K_2ZnCl_4晶体中OH~-的存在形态.在实验中观察到存在两种不同形态的OH~-,并就其对晶体物理性质的影响作了讨论. 相似文献
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用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66. 相似文献
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利用离轴照明选择性激发高Q值Nd^3:YAG小球,测量到与体材料不同的激光振荡,例如1.365μm的激光谱线。 相似文献
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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。 相似文献
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对于不透明物体 ,透射比τ等于零 ,有ε ρ =1,热辐射特性可由其表面发射比ε或反射比 ρ测量得到。而对于部分透明物体而言 ,情况要复杂得多 ,必须考虑更普遍的关系式 :ε ρ τ =1。其热辐射特性测量必须考虑到透射比τ不等于零这个因素。在分析部分透明物体的热辐射特性 相似文献
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张光寅在六十年代指出了晶体中反射光谱带的各种可能形式及色散效应,并建立了一种图解方法。本文则是在其基础上的进一步发展。本文利用介电函数的经典理论,分析了不同形式的线性振子间介电耦合相互作用对反射光谱带形式的不同影响及其规律,这不仅对复杂反射光谱(尤其是红外)的识谱是重要的,而且对固体材料反射光谱特性的实际应用也有一定的意义。 相似文献