SOG材料的制作和测试

为解决pn结隔离器件漏电大、击穿电压低、易受温度影响等一系列因素,本文提出了取代pn结隔离的一种SOG(Silicon-on-Glass)材料,它采用钝化玻璃膜作为介质隔离,玻璃膜的厚度为几微米到几十微米。深入研究了形成SOG材料的三道关键工艺:电泳技术、键合技术、减薄技术,并对各种工艺条件进行了分析。通过对SOG材料力学和电学性能的测试,表明SOG材料强度大于180kg/cm~2,键合面积95％以上,反向漏电比pn结小4个数量级,符合制作器件的要求。     

硅上超薄氧化层的AES和XPS分析

本文利用AES、XPS研究了硅上厚7A～47A的超薄氧化硅膜的化学键态。讨论了无定形SiO_2和Si衬底之间的界面区的化学结构。     

超薄介质测厚技术研究报告

一、引言 硅片上厚度在100以下的超薄氧化层在一些半导体器件的制造中起关键作用。随着超大规模集成电路的发展。它越来越受到人们的重视。在这一领域进行探索,对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义。超薄氧化层的制备首先要求提供一种方便、精确、非破坏性的,能测量低到几埃介质膜厚的仪器和技术。椭园偏振仪     

高温半导体力敏传感器材料研究

<正> 目前,半导体力敏传感器大多采用在n型硅单晶上进行硼注入或硼扩散,形成四个扩散电阻,将这四个扩散电阻连接成惠斯登电桥,当无压力作用在硅片时,理想情况电桥输出为零,当有压力作用时,电桥平衡被打破,输出信号的大小由压力决定。由于该力敏传感器利用p-n结隔离方式进行工作,因此,该力敏传感     

新型SOG压阻式力敏传感器的研制

本文介绍一种以玻璃作绝缘介质膜的SOG压力传感器,探讨了实现SOG材料良好键合的关键工艺,研究了以腐蚀自致停技术为核心的减薄成膜方法.结果表明,SOG传感器在高温、大压力方面颇具潜力.     

计数—寄存—译码(带消隐)电路的设计和试制

一、概述: 随着我国社会主义革命和建设的发展及实现四个现代化的要求,对电子器件进一步小型化的需求也日益迫切了。这次我们结合毕业实践与南京无线电研究所共同承担了“计数—寄存—译码（带消隐）MOS电路”〈简称三合一〉的设计和试制任务。 本电路主要是根据南京电讯器厂生产的频率计的要求进行设计的,该厂生产的频率计,原来用的是分立元件,体积庞大,现在正在试制用集成电路代替分立元件,已使体积大大缩小,我们的任务是将原来的计数、寄存、译码、三块电路合成一块,以求进一步缩小体积、降低功耗。 本电路在接上萤光数码管后,能直接将计数脉冲以十进制形式显示出来,并且具有无数量自动消隐的功能,除频率计外,在电子钟,电子仪表等方面都可应用,有一定的通用性。     

用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层

<正> 一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作用,而且对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义. 用椭偏仪测量50A|°以下的氧化层厚度,除了仪器的灵敏度外,尚需解决数据处理问题.在此厚度范围内椭偏参数ψ非常接近,因此不能像厚膜那样,依据ψ、△同时确定膜的折射率和厚度.我们的计算结果表明,在10A|°以内及在20A|°-50A|°范围内,由折射率     

研制高温半导体力敏传感器的几种途径

本文介绍了SOS(兰宝石上生长硅单晶)传感器,多晶硅阻传感器以及SOI(绝缘衬底上生长硅)压阻传感器三种可以应用在高温的半导体力敏传感器的结构和制造工艺,着重介绍并分析比较了国内外目前生长SOI材科的五种方法以及用它制造压阻式传感器的几个特殊问题。     

热氮化SiO_2膜性能的试验研究

本文报导对热氮化SiO_2膜的研究结果.热氮化SiO_2膜的腐蚀特性、抗氧化特性的研究表明膜的化学结构与SiO_2不同.采用AES表面分析技术观察了膜中化学成份,从而证实了膜中的氮含量取决于氮化前的SiO_2膜厚和氮化时的条件,热氮化SiO_2膜的电学特性、抗辐射性能明显优于SiO_2膜.     

利用栅控二极管分析Si—SO_2系统的界面特性

随着半导体器件的发展和使用者对器体参数的更高要求,半导体的表面问题越来越受到重视。MOS器体和电荷耦合器件(CCD)都是表面器件,更受表面质量的直接影响。为了研究Si—SiO _2—SiO_3N_4系统的表面特性,介决CCD铅栅开启电压的稳定性问题,我们在南京无线电研究所结合毕业实践进行了这方面的工作。用C—V方法可以分析Si—SiO_2—Si_3N_4系统中的等效固定电荷和可动电荷,但是对界面态则较难用C—V方法分析,而界面态密度的大小对CCD的(亻才)输效率有严重的影响。为此,我们利用测量栅控二极管的反向电