失落在梅城河的记忆

<正>时间淘洗着记忆,犹如江水冲刷堤岸,不时崩塌一块,沉入水中,了无踪迹。这是生活的常态,恰如绣花襦褪了色,老歌带掉了磁。将往事拾起,总会遗漏几颗麦穗的。你有些忧伤,也有点惘然,但这本没有什么。可有一种记忆,让你悔、让你失落、让你痛得不堪回首。梅城的大成殿,就在它轰然倒下,倾覆在洪水中时,也好像昭示着一种文化精神的失落。当物质将精神逼至墙角时,人们似乎进入到了另一个意义的洪荒年代。     

冷作模具钢DC53断裂性能研究

针对冷作模具钢DC53的断裂失效情况,开展断裂韧度及疲劳裂纹扩展试验,获得材料断裂性能参数。基于线弹性断裂力学理论,运用三维断裂分析软件FRANC3D模拟计算含有穿透型裂纹的标准紧凑拉伸CT试样的裂纹前缘应力强度因子,由Paris公式计算裂纹扩展寿命,并将理论计算、数值模拟和断裂力学试验进行对比研究。结果表明:数值模拟、理论计算以及试验得到的裂纹扩展寿命在16.7%的合理误差范围内。     

基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计

针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法。分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系,给出了放大器最佳三阶交调直流偏置点。提出了一种优化散热的输出级分散布局电路结构,减小了片上温升带来的三阶交调性能恶化。应用提出的优化设计理论方法,基于2μm AlGaAs/GaAs HBT工艺,设计了一款工作于0.05～1 GHz的低三阶交调失真射频放大器。测试结果表明,该放大器实现了42.1 dBm的输出三阶交调点,三阶交调与1 dB压缩点之比达到了21.2 dB。     

CQFP封装引线成形形状及其力学性能研究

陶瓷类四面引脚扁平封装(CQFP)器件因具有节距小、重量大的固有特点而在随机振动过程中常出现失效现象。首先基于典型CQFP封装设计了多种引线成形方案。再以有限元仿真软件分析不同方案中封装承受相同随机振动条件时的等效应力情况。最终通过对比各成形方案优缺点,提出了较优的引线成形方式。     

芯片面积对CSOP10型陶瓷封装IC热特性的影响研究

针对CSOP10型陶瓷封装集成电路热特性参数随芯片面积的变化规律,运用仿真分析、理论计算、试验相结合的方法展开研究。结果表明,仿真分析与理论计算、试验的误差在合理范围内;随着芯片面积增大,CSOP10型陶瓷封装集成电路的结-壳热阻、结-环境热阻、结-壳热特性三种热特性参数随之减小,变化趋势减缓,数值趋于稳定。     

多元表面活性剂复配的分子热力学模型研究

表面活性剂在实际工业生产中有着广泛应用,一般多为多种表面活性剂的复配体系,利用不同组分的特性,使得复配体系具有比单一表面活性剂更优越的性能,而多元表面活性剂复配机理仍不是很清楚。采用实验与理论模型相结合的方法,研究混合表面活性剂各组分间的协同效应。首先以Flory-Huggins理论为基础,推导了多元表面活性剂体系的分子热力学模型,通过二元系实验数据关联出两两相互作用参数,可对多元体系临界胶束浓度(cmc)与混合表面活性剂胶束相组成进行预测,三元表面活性剂复配体系模型计算结果与实验值吻合较好。