直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响

本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响．尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质，但发现Cu对氧沉淀行为没有影响，而Fe会明显增强氧的沉淀速率．实验结果表明Cu在Si中形成低密度、大尺寸的沉淀物团簇，与Si晶体生长后业已存在的微小氧沉淀物中的绝大多数没有相互作用；相反地，Fe杂质与微小氧沉淀物相互作用，形成高温下稳定的复合粒子，充当了氧沉淀的有效成核中心．     

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下,加热样品至３００℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样,发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的