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基于MP3的汽车报站器 总被引:2,自引:0,他引:2
要介绍一种基于AT89C51SND1C单片机和闪存实现的MP3公交车报站器,可通过键盘和播放列表文件实现高品质语音信息的播放,同时使用LED点阵显示播放的内容。报站器可作为优盘方便地更换语音文件,便于车载广告信息的更换。 相似文献
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目的为了准确而快速地自动检测医药玻璃瓶的外观缺陷。方法基于YOLOv3算法,建立深度卷积神经网络学习检测模型,通过将神经网络结构浅层和深层特征向量连接并标准化,提取玻璃瓶多尺度特征信息。采用K-means聚类方式获得锚点框初始大小,提高模型对边界框预测的准确性;利用多尺度训练策略,增强模型对不同尺寸图像的鲁棒性。结果实验结果表明,提出的医药玻璃瓶缺陷检测方法能够准确检测识别玻璃瓶上的管端残损、气线、气泡、划伤、污渍和结石等缺陷种类。与主流的目标检测方法相比,提出的方法在处理速度和准确度上都有提高,缺陷目标检测精确率达到96.23%,召回率为93.82%,平均精度为89.35%。结论该方法已经在国内几家大型医药玻璃包装生产公司成功应用,显著提高了医药玻璃包装产品的质量和合格率,降低了人工成本。 相似文献
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可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。 相似文献
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毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。 相似文献
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