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采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜, 研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时, AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层, 在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰, 但芯片工作电压较高, 约为10 V, 芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明, AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。 相似文献
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SiC材料具有高电流击穿场、高饱和电子漂移速率、高热导率等特性,使得SiC材料在功率器件领域具有巨大的潜力。本文简单介绍了SiC晶体特征和材料的制备及各种SiC功率器件结构、性能及当前发展情况,同时亦指出SiC器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。 相似文献
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基于响应表面法的电缆终端结构和材料参数优化 总被引:1,自引:0,他引:1
在对电缆终端的尺寸参数和材料特性进行优化时,若目标函数和约束条件不存在显示函数关系,需采用随机类优化算法进行多次有限元求解,从而产生优化过程迭代次数多、计算效率低的问题。文章使用响应表面法(RSM)先构建出较精确的响应表面模型,以显示的函数表达式描述出目标函数和约束条件与设计变量的关系,然后采用优化算法对含有非线性约束的优化问题进行求解。这样的优化过程大大减少了有限元计算次数,提高了计算效率。 相似文献
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为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变的AlGaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果。实验结果表明,适当的预铺铝时间可以显著提高AlN成核层晶体质量,合理的AlN层厚度有助于上层GaN的生长,AlN与GaN之间AlGaN缓冲层的引入可以有效抑制GaN裂纹的产生。最后,采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)测试了MOCVD外延生长的无裂纹GaN材料,得到AlN(002)面、GaN(002)面和GaN(102)面的衍射峰半峰宽(FWHM)分别为1 382,550和746 arcsec。 相似文献
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SiC材料及其在功率器件方面应用研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SiC材料具有高电流击穿场高饱和电子漂移速率,高热导率等特性,使得SiC材料有功率器件领域具有巨大的潜力,本文简单介绍了SiC晶体特征和材料的制备及各种SiC功率器件结构,性能及当前发展情况,同时亦指出SiC器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。 相似文献
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薛尚铃余周徐革龚国琴罗婷朱涛张昊翔刘勇 《建筑结构》2017,(5):37-42
银川德丰大厦是采用带加强层的钢管混凝土叠合柱框架-核心筒结构体系的超高层结构,设置三道加强层以提高结构的侧向刚度。针对项目有多项超限的特点,提出了相应的抗震性能目标和针对超限的加强措施。基于梁柱塑性铰和剪力墙纤维模型,利用软件MIDAS Building对结构进行弹塑性动力时程分析以研究整体结构在大震下的动力响应。分析结果表明,在大震作用下,结构构件能满足设定的性能要求,可以实现"大震不倒"的抗震设防目标。 相似文献
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