基于大晶粒MA0.7FA0.3PbI3的薄膜光探测器

为了研究大晶粒高质量钙钛矿薄膜对光探测器的影响,制备了晶粒尺寸超过2 μm的MA_0.7FA_0.3PbI₃薄膜,并基于该薄膜制备了光电导型的光探测器（MCP-PD）。基于该薄膜的光探测器在532 nm和3 V偏置电压下获得了高响应度（0.905 A/W）和探测度（3.18×10¹² Jones）。在相似性能条件下,基于大晶粒尺寸薄膜制备的MCP-PD还表现出较快的响应速度。实验结果表明,大晶粒尺寸的薄膜降低了晶界对载流子传输的阻碍,提升了光探测器的响应度、探测度及响应速度。