有限长圆管的弹性压缩损失

本文分析了预应力混凝土有限长圆管的弹性压缩损失,推导出一个公式概括了等配筋率和沿管长呈线性变化的变配筋率情况位移的计算,从而得到有效预压力的实用计算法,改正了苏联巴依柯夫的有限长圆管变配筋率情况有效预压力计算法的错误。概念清晰,方法简便,易为工程技术人员所掌握。     

用显微喇曼扫描成像(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力

本文用显微喇曼光谱方法，在μｍ尺度上对集成电路中由多晶硅衬底上生长ＣｏＳｉ２所引起的应力进行了测量，并对这种应力的类型和大小与含有ＣｏＳｉ２的电路结构间的关系做了研究．结果表明，ＣｏＳｉ２所引起的应力为压应力，其大小随着面积的减小而增大，在边界处的应力与ＣｏＳｉ２区域中心处的应力类型相反，数值大一倍．     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果.对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiCNR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要.理论计算证实了这一点,并解释了实验观察到的异常现象.     

不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和光致发光谱研究

用拉曼谱和光致发光谱研究了不同掺杂类型和掺杂浓度的单晶硅衬底上制备的多孔硅（ＰＳ）．根据拉曼谱估计了不同衬底ＰＳ的硅残留体的尺寸，结果与其它实验的结论相符．把由拉曼谱得到的ＰＳ尺寸和由光致发光谱得到的ＰＳ荧光峰能量相对比，发现单纯的量子限制模型不能统一解释不同衬底ＰＳ的光发射现象．     

AlN 和 SiO_xN_y 薄膜与其 GaAs 衬底间界面应力的喇曼光谱研究

本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响．结果表明，与ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的ＡｌＮ薄膜，其界面应力很小，而且经Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温快速热退火，仍具有较好的稳定性，从而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料．     

GaAs(001)基底取向误差对GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As中局域声子的影响(英文)

We have studied the confined phonons in GaAs/Al0 3Ga0.7As superlat-tice grown by molecular beam epitaxy on oriented and misoriented GaAs (001) substrates. Raman scattering measurements have been performed at room- and low-temperatures. The results show that the phonon features in the superlattice-grown on GaAs(001) misoriented 4° toward the [110] direction are significantly different from those in the precisely oriented sample. The difference is discussed in terms of misorientation induced atomic-steps at GaAs-Al0.3Ga0.7As interfaces.     

CdTe/ZnTe超晶格的多声子共振喇曼谱研究

用共振喇曼散射研究了CdTe/ZnTe应变层超晶格的多声子谱.实验结果表明,我们首次观察到了多达10级的ZnTeLO的多声子喇曼散射,和反映超晶格结构的子带跃迁介入多声子共振喇曼散射过程的实验现象.     

近场光谱仪与近场光谱学

对于在扫描近场光学显微镜基础上发展起来的近场光谱仪的设计原理、基本结构和具体设计作了较具体的讨论，同时，也简要介绍了近场光谱学。