阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质

研究了用阳极氧化法制备的Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP两种MIS结构的组分分布和电学性质,AES、I-V、C-V和DLTS等测试结果表明,Al_2O_3/InP结构的性能更为优越.用DLTS方法发现这两类样品都具有峰值能量为Ec-Es=0.5eV、俘获截面为～10~(-15)cm~2的连续分布的界面电子陷阱.认为该电子陷阱与磷空位缺陷有关.     

具有阳极氧化层的N-InP肖特基势垒的研究

用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中测出一个位于导带之下0.62eV的较深的电子陷阱。最后,采用稍加修正的肖特基势垒模型解释了势垒高度的增加。结果表明,氧化层中的固定电荷对势垒高度的影响是极其重要的。     

一类激励函数和阈值可扰动的神经网络的研究

把用于解决Ⅳ元奇偶校验问题的激活函数，由单个函数推广到了一条带状区域、一个函数族。把阈值由一个固定值推广到了一个区间。与已有的工作相比，所提出的神经网络是解决此类问题的抗干扰能力强，开发容易的网络。     

一种研究半导体中深能级的技术——光电容谱

建立光电容谱测量装置,其中连续流光学低温恒温器是本所自制的。该装置可用肖特基势垒结构来检测深中心,并且可以获得有关深能级与光子互作用的信息,这是DLTS技术所不能做到的。利用这套系统,已成功地研究了GaAs中主要深能级中心EL_2。