太阳电池扩散N~+N高低结界面的有效表面复合速度

本文对太阳电池扩散N+N高低结界面的有效表面复合速度进行了解析研究,取扩散N~+区的杂质分布为高斯分布,给出了有效表面复合速度及其表面复合分量和体复合分量的解析表达式,还讨论了它们与表面杂质浓度、结深和表面状况等的关系。     

同型外延材料表面光伏法测试的分析

本文应用数值计算方法研究了表面光电压是表面非平衡少子浓度的单调函数这一假设对于同型外延材料的可应用性。我们发现这一假设对该材料一般地说并不成立。因此在使用等光伏表面光伏法测试同型外延材料少子扩散长度时一般不应把表面非平衡少子浓度视为常数。在文中,我们也分析了可以把表面非平衡少子浓度作常数处理的条件。     

少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。     

产生寿命分布的计算机辅助测量

本文建议用脉冲MOS电容器的电容—时间瞬态技术测量产生寿命分布.用计算机辅助测量技术可实现阶跃电压产生,电容—时间瞬态采样读出,数据处理和产生寿命分布测量结果输出全过程的自动化.     

扩散p-n结的光电流

对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作了比较。当用简化的指数杂质分布代替实际的高斯分布,即用一个常值的内建场代替与离表面距离有关的内建场时,对于表面复合相对于体复合为主要因素的p-n结,将引入一个正的光电流误差,反之将引入一个负的光电流误差,而对于表面和体复合两种因素可以比较的p-n结,则引入的误差甚小。     

非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度

本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符.     

Al-SiO_2-Si(n)系统的电子辐照效应

本文研究了电子辐照和退火对Al-SiO_2-Si(n)系统的影响.结果表明,经电子辐照加适当退火处理的样品与未经辐照的样品相比,体内非平衡少数载流子复合寿命明显降低,但表层产生寿命却有所增加,而且平带电压、界面态密度和表面产生速度都略有降低.     

用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质

本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。     

DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS

When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor,a capacitance-time(C-t)transient is observed.The MOS capacitor is biased into strong inversion before apply-ing the voltage ramp in order to eliminate surface generation.From C-t transient curve obtainedexperimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined.Theexperimental results show that for the same sample the lifetimes extracted from C-t curves un-der varying voltage sweep rates are close each other,and they are consistent with the lifetimesextracted by saturation capacitance method.