微机准同期装置的抗干扰和保护措施设计

本文介绍了准同期装置主要干扰源及其对系统的影响,提出了增强装置的抗干扰能力的一套全面的解决方案,包含硬件抗干扰措施和软件抗干扰措施以及系统的保护措施。目前该抗干扰和保护措施已应用于实际的微机准同期装置中并通过了相关抗干扰实验,这对进一步提高微机准同期装置的抗干扰能力,确保电力系统安全稳定运行有一定作用。该文对微机准同期装置开发设计人员也有较好的借鉴意义。     

用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计

碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。     

大型机加件自动制孔技术的研究

通过对角度头的应用实验,摸索出可靠的试验参数和注意事项,实现用角度头加工大型机加件侧面法向孔的加工方法,为复杂机加件自动制孔及复杂表面数字化加工提供了有力的参考依据和技术支持.     

动态电压恢复器对微机保护影响的仿真研究

为了分析DVR对配电系统的影响,介绍了DVR的原理、结构,论述了DVR在配电系统的作用,接着针对DVR对微机电流保护中的影响做了仿真。仿真分析表明：DVR的接入使得配电系统电流保护的灵敏度提高,但使电流保护失去了选择性。针对这一问题,提出了解决方案,仿真结果验证了方案的正确性。     

SiC MOSFET在Buck变换器中的应用

第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该文设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性,以及驱动电阻对SiC MOSFET的影响。搭建Buck实验电路,测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比对应的负载电压,以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温。实验结果表明SiC MOSFET比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小。     

基于遗传聚类算法的Web日志挖掘研究

K-均值聚类对初始聚类中心的选取较敏感,容易陷入局部最优.将改进的遗传算法与K-均值聚类相结合,以优化聚类中心.在种群进化过程中,父代个体均从种群中适应度高的个体中选择,同时,根据个体适应度动态调节交叉概率和变异概率,避免早熟现象.文中采用改进的遗传算法,对学院网站服务器上的Web日志进行用户和页面聚类,达到了很好的聚类效果.     

SiC MOSFET特性分析及应用

碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。     

煤矿信息化网络安全ARP攻击原理及解决办法

信息化技术在煤矿中的使用,促进了煤矿生产效率的提高,但是同样也为煤矿的信息安全带来了新的挑战。本文介绍了煤矿网络安全ARP网络协议原理以及攻击原理,之后阐述ARP攻击的检测,并提出解决煤矿网络安全ARP攻击的对策建议。