用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO2透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列（ＦＦＥＡ）的聚焦极，要求ＦＦＦＡ的电阻层能通过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ｎｉ－ＳｉＯ２金属陶瓷电阻层。研究结果表明，当适当调整Ｎｉ和ＳｉＯ２成份比例，可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌，能谱成分分析，方阻及透光率进行了讨论，最后，给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。     

谐振膜压力敏感元件的频率特性

本文讨论了用于谐振压力传感器的谐振膜的频率特性。文中导出了谐振膜的非线性运动微分方程式(式中含有弯曲应力、中面张力和浅壳的影响),并用变分法求得近似解。求得的理论压力-频率特性与实验结果有较好的符合。     

分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究

提出了一种新型的分布串联横向电阻Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＡ的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及ＦＥＡ电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备，刻蚀出Ｍｏ薄膜电极图图案和直径１μｍ，深度１μｍ的ＳｉＯ２绝缘层圆孔，利用电子束双源蒸发设备，蒸发Ａｌ和Ｍｏ薄膜，得到Ｍｏ的微尖阵列，制成了分布串联横向电阻Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＡ。最后得到了常规条件下可测量的场发射。