低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺,研制出了高性能,低电压工作,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管．该器件在175MHz、12V低电压工作条件下,输出功率为12W,漏极效率为70%,功率增益为12dB．     

低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs

采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺 ,研制出了高性能 ,低电压工作 ,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管 .该器件在 175 MHz、 12 V低电压工作条件下 ,输出功率为 12 W,漏极效率为 70 % ,功率增益为 12 d B     

3.5GHz 65W硅脉冲大功率晶体管研制

介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲大功率晶体管的实验结果。在3．5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率35％（脉冲宽度100微秒,占空比5％）。     

方形腔耦合直波导的Fano共振与传感特性研究

设计了一种带金属挡板的直波导耦合方形腔组成的表面等离子体(SPPs)波导结构。利用有限元法分析了该结构的磁场分布、Fano共振特性以及传感特性。仿真结果表明，设计的SPPs波导结构可以形成2个Fano峰，且Fano峰的位置可以通过谐振腔的结构参数进行调节。此外，该SPPs波导结构可用于折射率传感，其最高折射率灵敏度和品质因数分别为2220 nm/RIU(折射率单元)和5542。最后，利用该结构对葡萄糖溶液中葡萄糖的质量浓度进行了检测，其灵敏度为0.264 nm/(g·L^-1)。所设计的SPPs波导结构在微纳传感领域有一定应用前景。