利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD

为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。     

获得精细通孔图形的光刻技术改进

为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %~25 %。在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小。     

丙烯膦酸二乙撐亚胺的合成

由于乙烯亚胺及其衍生物具有高度活性的三元杂环,此种三元环易与胺、醇基等亲核试剂起开环加成反应。因此广泛应用于纤维变性、活性染料、医药上作为抗癌剂及农药上的杀虫剂。近年来研究这方面的论文日益增多。作者等在合成三(乙烯亚胺)膦化氧(A.P.O.),2,4,6三乙烯基-1,3,5三氮苯(T.E.M.),及长鲢脂肪醚的乙烯亚胺若干衍生物后,拟在这一基础上进一步合成一种既具有交链又具有聚合性能的活性高分子。     

注射液中杂质的光电检测方法

本文研究了一种用动态区分法对注射液中杂质的光电检测技术,与目前制药厂中采用的人眼检测方法比较具有检测精度高,迅速,可靠及易于自动化的优点。文中介绍了该仪器的光路、电路部分设计思想,并对仪器的性能作了详细分析,给出了试验结果。