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利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。 相似文献
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本文报导在4×622Mb/s)×160km等三个常规单模光纤无中继传输实验系统,以及4.354Gb/s×200km常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果.带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别>+4dBm/信道(4×622Mb/s)和11dBm(单路2.5Gb/s),频率稳定度分别优于6×10-6和4.1×10-6.带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到-46.8dBm(622Mb/s,NRZ223-1PRBS)和-39.5dBm(4×2.5Gb/s,NRZ223-1PRBS).系统各信道误码率分别优于4×10-12~4×10-15. 相似文献
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我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源.为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构.本文从理论上分析了该新型器件的可行性,优化设计了器件结构.在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件.器件阈值电流为35mA,在—5V调制电压下消光比达5dB.静态调制过程中,激射波长与阈值没有变化. 相似文献
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