MgSe薄膜的相结构研究

我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首次实验测量出了闪锌矿结构ＭｇＳｅ的晶格常数     

活性碳吸附法回收漆用溶剂挥发气体

油漆涂料用的稀释剂一般含有50%左右的甲苯、二甲苯之类有机溶剂,这类溶剂颇具毒性,当工件喷涂油漆干燥后溶剂即挥发到大气中,污染了企业和周围环境,影响人们身体健康。我国对苯类排放浓度颁有标准,国家标准GBJ1—62工业企业设计卫生规定:苯不超于50毫克/米~3,甲苯、二甲苯各不超于100毫克/米~3。但目前生产中一般都超过规定达500～1500毫克/米~3,有的高达3000毫克/     

MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光

采用 MOCVD技术以 Al2 O3为衬底在 Ga N膜上生长了 In Ga N薄膜 .以卢瑟福背散射 /沟道 (RBS/Channeling)技术和光致发光 (PL )技术对 Inx Ga1 - x N / Ga N / Al2 O3样品进行了测试 ,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息 .研究表明生长温度和 TMIn/ TEGa比对 In Ga N薄膜的 In组分和生长速率影响很大 .在一定范围内 ,降低 TMIn/ TEGa比 ,In Ga N膜的生长速率增大 ,合金的 In组分反而提高 .降低生长温度 ,In Ga N膜的 In组分提高 ,但生长速率基本不变 . In Ga N薄膜的结晶品质随 In组分的增大而显著下降 ,In Ga N薄膜     

化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响

用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子束背散射沟道最小产额比 χmin较小 ,带边辐射复合跃迁较强 .在 N含量相对低的 Ga N薄膜中易形成 N空位 ,N空位是导致未故意掺杂的 Ga N单晶薄膜呈现 n型电导的主要原因 ;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献 ,但它能弛豫 Ga N与 Al2 O3之间的晶格失配 ,改善生长的 Ga N薄膜的结晶品质     

MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单晶膜呈现 N型导电 ,得不到 P型层 ;掺 Mg量过大时 ,会形成与 Mg有关的深施主 ,由于深施主的补偿作用 ,得不到高空穴浓度的 P型 Ga N.生长 P型 Ga N的最佳 Cp2 Mg/TMGa之比在 1 /660— 1 /330之间     

MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

使用MOCVD技术在Al2O3衬底上生长了GaN：Mg薄膜.通过对退火后样品的光电性能综合分析,研究了掺Mg量对生长P型GaN的影响.结果表明：要获得高空穴载流子浓度的P型GaN,Mg的掺杂量必须控制好.掺Mg量较小时,GaN：Mg单晶膜呈现N型导电,得不到P型层;掺Mg量过大时,会形成与Mg有关的深施主,由于深施主的补偿作用,得不到高空穴浓度的P型GaN.生长P型GaN的最佳Cp2Mg/TMGa之比在1/660-1/330之间     

GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱

采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试.它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致.     

硬质合金剖分型六角组合套模的应用

大连全属冷成型模具厂近年来试验成功了一种剖分型的六角螺母组合套模,经23个省市和80多个标准件厂试用并鑑定,使用寿命均比一般的Cr12型冷作模具钢制作的模具使用寿命提高几十倍,甚至上百倍,比国外同类型材料的模具提高一至两倍,技术经济效益极为显著,产品质量稳定,可节省大量优质合金工具钢,大大减少了工人调换模具的时间,改善了工人的劳动条件,深受操作工人的欢迎。剖分六角型螺母组合模具,是选用硬质合金材料,采用剖分结构消除六角处的应力集中,再加上预应力套选材得当,紧配间隙合理,使模具的使用寿命比整体模芯式有明显提高,许多操作工人不愿再用原Cr12MoV钢制作的模具。他们反映:用剖分型结构硬质合金模具,不仅产品质量好,尺寸不易     

863项目“GaN基蓝光材料生长及LED器件研制”通过验收

由我校材料科学研究所承担的国家 863计划“ＧａＮ基蓝光材料生长及ＬＥＤ器件研制”项目 ,于 2 0 0 0年 12月 4日一次性通过 863新材料领域专家委员会组织的验收 该项目在国内首次研制成功半导体紫外发光二极管 ,经中国计量科学研究院检测 ,输出功率高达50 0 μＷ 中国科学技术信息研究所国际联机检索结论为 :国内未见报道 ,属紧跟国际前沿的研究工作 半导体紫外发光二极管将部分替代现有的气体放电的紫外灯 ,是对紫外光源的技术革命 ,其意义和 50年前半导体晶体管部分替代真空电子管一样深远 我校成功地研制出蓝色发光二极管 ,是国内…     

新型紫外光源研制成功

以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来,在日本获得了突