InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１．２０μｍ     

InGaAs(P)应变补偿多量子阱结构激光器的理论研究

从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性，并以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）体系为例，分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果表明，具有应变补偿结构的激光器可以获得较大的增益和较小的阈值电流密度。其中，阱材料能带结构的变化是使得应变补偿结构激光器具有上述优良特性的决定性因素。     

1．3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射率矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的应用于无源波导器件的模拟与设计．为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超辐射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复折射率引入其中，器件的增益和吸收通过折射率的虚部来描述．用复折射率的有限差分矢量束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构．     

集成光波导器件的计算机辅助设计软件的开发（1996年7月11日收到,12月…

报导了最新开发的集成光波导器件的计算机辅助设计软件－－ＩＯＣＡＤ２，它是一个采用复折射率矢量束传输分析方法的三维模拟分析软件。本文介绍了它的功能、特点、使用方法以及适用条件，并且以ＳＬＤ直条形波导吸收区为例进行了模拟，得到了很好的模拟结果。     

用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列

提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法，通过低压ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上利用ＧａＡｓ张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ岛状结构．     

压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算

本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩变量子阱激光器峰值增益波长方法。     

用变分法计算超晶格材料能带过程的一种新的包络函数构造方法

在以往用变分法计算超晶格材料能带结构的工作基础上，提出一种新的包络函数构造方法，该方法具有通用性，可方便地用于多种材料构成的任意结构的超晶格，可使复杂的数值运算过程得以简化，尤其对由多种材料构成的超晶格更为明显。与已报道的理论计算结果的比较表明：对于Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ参数及Ｋａｎｅ矩阵元相同的材料体系结果完全一致；对于不同的体系，也符合得很好。     

低阈值量子结构激光器的优化结构设计

针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器）,包括量子阱、量子线和量子点结构,给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系,并且以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ量子阱激光器和ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组装量子点结构激光器为例,分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。     

集成光波导器件的计算机辅助设计软件的开发

报导了最新开发的集成光波导器件的计算机辅助设计软件─—IOCAD2，它是一个采用复折射率矢量束传播分析方法的三维模拟分析软件。本文介绍了它的功能、特点、使用方法以及适用条件，并且以SLD直条形波导吸收区为例进行了模拟，得到了很好的模拟结果。     

调制掺杂压缩应变多量子阱激光器的增益特性和线宽增强因子的理论研究

本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子陆激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行Ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。