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1.
研究了纳米量级的多孔 SiNx 插入层的生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。测量结果表明:当把SiNx 插入层生长在GaN 粗糙层上,能够得到最好的晶体质量;SiNx 插入层的生长位置对GaN 薄膜的应变大小基本没有影响;然而,插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。  相似文献   
2.
介绍了ISO14000产生的背景及其发展概况。  相似文献   
3.
介绍一种n中取k表决冗余系数(k/n)可靠性预计的非递归算法,文中就k/n系数的定义,递归算法与非递归算法的实现及其优劣进行了重点论述。  相似文献   
4.
计算机网络系统的可靠性技术研究一直是网络设计和施工中质量保证的重要课题。随着国内信息化建设热潮的升温和网络建设的广泛应用,网络系统的可靠性问题日益受到充分的重视。本文就网络系统设计的几个主要环节及网络系统的几个重要组成部分对网络系统的可靠性问题作一些探讨。1网络的系统设计与可靠性一般而言,网络系统设计主要应考虑以下三方面的因素:用户需求、网络系统的安装环境和当前网络技术水平。用户需求是网络系统设计的出发点。用户需求一般包括:工作站点分布及数量、服务器性能、共享设备的布局与数量、带宽要求、上网设备…  相似文献   
5.
正为保证快速城市发展过程中城市空间的精细化管理、风貌特色的塑造与环境质量的提升,2015年中央城市工作会议明确提出,加强城市设计,提高城市设计水平,各地、各部门要高度重视并全面开展城市设计工作。2017年,为切实推进城市设计工作,住房和城乡建设部颁布《城市设计管理办法》,进一步明确了城市设计在城市规划管理体系中的角色。由此,城市设计的重要性显著提升,对从业人员的城市设计技能也提出了更高要求。面对这一新的发展形势,如何培养符合  相似文献   
6.
为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量.主要研究了在蓝宝石图形衬底上侧向外延生长GaN的技术.用MOCVD侧向外延技术的方法获得了很少位错的生长在掩膜层上的GaN薄膜,晶体的质量得到了改善.X射线和TEM测试出掩膜层能够阻挡其下GaN层中的穿透位错继续向上传播,用这种方法能够有效地降低位错密度,但同时也引出了一些新的问题.  相似文献   
7.
1989年欧洲共同体通过的EMC导则现在已经生效.结果是将输出到欧共体市场的产品都赫然打上CE标志.尽管这个导则到1996年1月1日才会成为强制性规定,但如果现在就按要求做将受益匪浅.  相似文献   
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