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大电机定子线圈端部SiC防晕层电场分布计算 总被引:1,自引:2,他引:1
用时域有限差分法模拟计算了大电机定子线圈端部 Si C防晕层的电场分布 ,与实测值比较表明 :时域有限差分法优于相量法 ,可用于工程计算。正弦相量法计算误差较大的原因在于 Si C材料电阻的非线性特性 相似文献
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工程电介质本世纪的进展与21世纪的发展热点探讨 总被引:4,自引:1,他引:3
电介质学科创建于20世纪初,其学科内容包括介质极化、损耗、电导和击穿的研究。至世纪中叶,工业背景主要为电气绝缘技术。进入下半世纪,一方面,在高电压输电技术发展的推动下,合成高分子电介质迅速代替天然材料成为主要的研究与开发热点;另一方面,功能电介质(包括铁电、压电材料)开始崭露头角,无线电技术为其应用背景。到世纪末,计算机及光电子信息技术的蓬勃发展,又推动电介质的研究开发进入到微波与光频波段。预测在 相似文献
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研究了JUS有机硅凝胶与各种材料的相容性问题,已固化聚苯硫醚(PPS)外壳材料与硅凝胶有很好的相容性,而未固化PPS却使铂催化剂中毒,表明含有毒素的物质是否会使铂催化剂中毒,与毒素的形式和活性有关。一般常用的DCB板和GD406硅 粘剂一都有较好的相容性,但含有硫元素的703硅胶粘剂却使硅凝 毒,最后研究了预防硅凝胶不固化的方法,认为使用SP漆作屏蔽层是有效的办法。 相似文献
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MCs~ -SIMS技术及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱(SIMS)难以定量分析和解释的主要原因。受其影响,常规SIMS,即M±-SIMS(检测原子型二次离子M+或M-,M是要分析的元素)的适用范围受到了很大的限制。近几年来,上述状况已经通过一种新技术开发得到明显改善,这就是MCS+-SIMS技术,即在CS+一次离子轰击下检测分子型二次离子MCS+而不是M±。由于该技术能明显减小甚至消除基体效应,从而开辟了SIMS定量分析的新途径。在综述MCS+-SIMS技术的由来、发展、特点和应用以及MCS+的生成机理的基础上,介绍了该技术的扩展思路。 相似文献