硅材料的目前状况及发展趋势—1992年6月赴美考察情况报告

本文根据１９９２年ＳＥＭＩ国际会议和在旧金山举行的国际半导体设备和材料展览会上了解的情况，对目前硅片、多晶硅、ＳＯＩ和硅片技术标准规范的水平和发展趋势作了介绍。     

单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式

本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。     

直拉硅单晶中微缺陷的检测条件

本工作对 P、N 型,〈100〉和〈111〉晶向的直拉硅单晶进行热氧化—化学腐蚀处理。对氧化时间、氧化气氛和腐蚀深度等条件进行了条件试验。对检测对象进行了重点讨论。     

硅片上的金属杂质沾污与氧化雾缺陷

一、前言 在热氧化后的硅片上,经常出现密集分布的雾缺陷。在器件工艺中,雾缺陷的存在将严重影响器件工艺的成品率,所以很久以来硅片上的雾缺陷一直引起人们的极大注意,已有许多关于这方面工作的报道,至今仍是重要研究课题之一。W.T.Stacy等将金属工具(摄子等)轻划(111)硅片表面以引起金属沾污,然后进行热氧化,以研究金属杂质在雾缺陷形成中的作用。孙安纳等用含铁等金属杂质溶液对直拉〈111〉硅外延片进行有意沾污,观察Fe等金     

预处理法消除晶体中氧化雾缺陷

消除氧化雾缺陷是提高单晶硅片质量的关键之一。氧化雾缺陷是由重金属杂质引起的,它的危害在于它能导致氧化层错,使器件成品率下降。消除氧化雾缺陷主要有以下两方面措施:1.保证氧化工艺的高纯条件,防止金属杂质的污染;2.提高硅片吸杂能力,以消除金属杂质对硅片表面层的影响。本文根据氧化雾缺陷的性质和单晶中的氧行为,对晶体进行了预热处理试验,并观察