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出版年
  1982年   2篇
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本文简述硅半导体功率器件的应用及发展现状,并以高反压大功率晶体管3DD260(3DA58)为例进行设计计算,同时介绍该器件的制造工艺。  相似文献   
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本文在分析了3DA58型高反压大功率晶体管,因采用金-锑(Au:Sb=99％:1％)合金真空烧结而造成“微等离子体击穿”之后,提出了一种采用“化学镀镍法”,在管芯背面淀积镍磷合金,同时使用锡-铅-银软焊料,把管芯烧焊在刻有槽或凹坑的F-2管座上,使管芯和  相似文献   
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