4H-SiC MESFET的特性研究

对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大.300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm.这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势.     

SiC MESFET技术与器件性能

介绍了SiC MESFET器件的技术和性能。用SiC材料制造的MESFET的射频功率密度达到4.6W/mm，功率增加效率（PAE）达到65.7%，击穿电压超过100V，表明SiC器件具有高功率密度和高效率，在高功率微波应用中具有巨大的潜力。