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随着放映自动化程度的提高,控制电路趋向复杂,运用器件也随之增多。自动化程度提高后,减少了人工对运行中的设备监管,因此要求设备性能更好,一旦发生故障,要求设备具有自动保护能力。选择正确的保护策略,有助于确保产品的可靠性。现在电机电路、直流电源电路使用自复保险相当普遍。我们现已将自复保险用于放映机切光器保护电路中,效果良好。 相似文献
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单片计算机,通常称为单片机或微处理器,它是能实现各种自动控制的器件,而且性能价格比很高。其片内有随机存储器RAM、程序存储器E—PROM、可快速擦写的Flash ROM,还有掉电保护的随时可改写的E^2PROM。片内设有驱动电流较高的I/O口,驱动电流为20mA,有些型号高达40mA。有些型号片内集成了看门狗、A/D转换器、 相似文献
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研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的a-Si集成电池效率高达9.09%. 相似文献
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研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的a-Si集成电池效率高达9.09%. 相似文献
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MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究 总被引:2,自引:11,他引:2
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。 相似文献
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单片计算机 ,通常称为单片机或微处理器 ,它是能实现各种自动控制的器件 ,而且性能价格比很高。其片内有随机存储器RAM、程序存储器E -PROM、可快速擦写的FlashROM ,还有掉电保护的随时可改写的E2 PROM。片内设有驱动电流较高的I/O口 ,驱动电流为 2 0mA ,有些型号高达4 0mA。有些型号片内集成了看门狗、A/D转换器、串行通信口及SPI口等等模块。由于众多的功能集成在芯片上 ,既方便了设计 ,又简化了电路 ,缩小了PCB面积 ,同时提高了系统的抗干扰能力。由于单片机具有以上优点和特点 ,故适于应用在放映机控制电路中 ,从而提高放映… 相似文献
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