一种全差动折叠共源共栅的CMOS放大器

设计了一种可用于∑-△A/D转换器的全差动放大器.放大器采用0.5μm CMOS工艺实现,采用折叠式共源共栅结构,并采用开关电容反馈电路.对所设计的放大器进行了详细分析,给出了具体设计过程.SPICE仿真结果表明,其开环直流增益A0为74.2dB,相位裕度不小于60°,单位增益带宽为40MHz,输出摆幅可以达到-200mV(Vdd)-+200mV(Vss).     

消除减速器蜗杆裂纹的探讨

本文分析了经碳氮共渗后的减速器蜗杆(20crMnTi 钢制造)在磨削过程中产生裂纹的原因,并提出了防止措施。试验与现场生产的结果表明:蜗杆磨削后的裂纹属于热磨削裂纹。严格控制粗加工挑扣成型的质量,改善零件热处理后的组织状况,控制磨削用量可以有效防止此类裂纹的出现,从而提高产品质量。     

FDD射频收发机IQ不平衡的片上数字补偿方法

提出一种应用于直接变频结构FDD射频收发机IQ不平衡的片上数字补偿方法。在接收机通道与发射机通道中分别插入一个数字后校正单元与一个数字预失真单元,并结合接收机通路中的数字补偿参数检测电路,针对接收机与发射机的IQ不平衡,先后构建了负反馈环路。在上电初始化时的校准模式下,利用负反馈环路的高通特性,将补偿参数转换为直流成分并精确地提取出来。基于SMIC 0.13 μm RF CMOS工艺,该数字IQ不平衡补偿方法在一种直接变频结构的FDD射频收发芯片中得到了实现。测试结果表明,接收机和发射机的镜像抑制均达到了60 dB。在64QAM调制模式下,相比于没有补偿的情况,接收机的解调EVM从4.67%提升至2.12%,发射机的调制EVM从5.16%提升至2.3%。     

一种应用于NB-IoT芯片的压控振荡器

采用40 nm 1P6M CMOS工艺,研究与设计了一款应用于窄带物联网(Narrowband Internet of Things,NB-IoT)芯片的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)。该VCO利用负反馈电路降低输出的相位噪声,通过电容减敏技术降低了输出频率相对于可变电容的敏感度,通过交叉偏置二极管技术提高了VCO增益的线性度。测试结果显示:VCO所需功耗为1.2 mW;当VCO震荡在3.49 GHz时,在偏离3.49 GHz的100 kHz、150 kHz、300 kHz、500 kHz和2.5 MHz的相位噪声的测量值依次为-92 dBc/Hz、-91 dBc/Hz、-100 dBc/Hz、-110 dBc/Hz和-125 dBc/Hz;采用此压控振荡器的NB-IoT发射机输出矢量幅度误差(Error Vector Magnitude,EVM)为7.8%,频谱辐射模板(Spectrum Emission Mask,SEM)和临近信道抑制比(Adjacent Channel Power Ratio,ACPR)均满足3GPP要求。可见,测试结果证明了所提出压控振荡器电路的有效性和实用性。     

TDD射频收发机中本振泄漏片上数字补偿

提出了一种应用于TDD射频收发机的本振泄漏片上数字补偿技术。在发射机中数模转换器前级的数字模块中插入一个数字预补偿单元,结合数字模块中的直流测量电路和补偿参数检测控制电路,构建了对发射机的本振泄漏进行补偿的负反馈回路。上电初始化校准模式下,在数字域中对本振泄漏信号进行功率检测,采用逐次逼近算法精确提取了补偿参数。应用该数字补偿技术,采用IBM 0.13 μm RF CMOS工艺实现了一种直接变频结构TDD-LTE射频收发芯片。仿真和测试结果表明,该射频收发芯片的本振泄漏抑制达到61 dB。     

微型电容式压力传感器的制作与测试

从应用开发MEMS产品的实用角度出发，介绍了利用硅一硅键合技术制作的微型电容式压力传感器，给出了详细的制作工艺及主要工艺步骤图。对微传感器所用的测试装置的组成、测试电路的工作过程进行了详细介绍和深入分析。最后对不同尺寸的微传感器器件进行了测试，并对测试结果进行具体分析。结果表明：该微传感器具有良好的线性工作范围、良好的稳定性和较高的灵敏度。     

用于Sigma-Delta调制器的开关电容积分器的设计

在介绍了一种基于开关电容原理的Sigma-Delta调制器基本原理的基础上,着重对开关电容积分器在实际设计中遇到的细节问题进行了详细的分析.研究了寄生电容、MOS开关的导通电阻和电荷注入问题、时钟馈通和采样尖峰及放大器特性对积分器的影响等.提出了解决方法和选用合理的参数设计出全差动的开关电容积分器,并给出SPICE的0.5μm的CMOS工艺的仿真结果.