High sp~3 content hydrogen-free amorphous diamond: an excellent electron field emission material

Details are given of a study of the characteristics of field-induced electron emission from hydrogen-free high sp~3 content (>90 % ) amorphous diamond (a-D) film deposited on heavily doped (p<0.01 Ω·cm) n-type monoerystalline Si (111 ) substrate. It is demonstrated that a-D film has excellent electron field emission properties. The emission current can reach 0.9 μA at applied field as low as 1 V/μm, and the emission current density can be ahout several mA/cm~2 under 20 V/μm. The emission current is stable when the beginning current is at 50 μA within 72 h. Uniform fluorescence display of electron emission from the whole face of the a-D film under the electric field of 10-12 V/μm is also observed. The contribution of excellent electron emission property results from the smooth, uniform, amorphous surface and high sp~3 content of the a-D film.     

复合钢管中镍基合金喷焊层对焊缝裂纹敏感性的影响

通过模拟实际焊接试验,研究了镍基合金喷焊层对焊接裂纹敏感性的影响。结果表明,镍基合金喷焊层成分对奥氏体不锈钢焊缝的裂纹敏感性有明显的影响。喷焊层越厚,即焊缝中所熔的喷焊层成分越多,焊缝金属热裂纹敏感性越大。原因是喷焊层中所含Ni,Cr,B,Si元素熔入焊缝增加了焊缝裂纹敏感性。     

淀积和掺杂方法对氧化锡薄膜气体灵敏度的影响

采用蒸发法、反应离子溅射法和等离子增强淀积法３种方法，在ＳｉＯ＿２－Ｓｉ衬底上淀积一层ＳｎＯ＿２薄膜，在这层薄膜内用反应离子溅射或蒸发法掺人微量Ａｌ．比较这些掺杂和未掺杂样品对氢气响应灵敏度的差别，研究了响应灵敏度差别与薄膜的微观结构和表面原子价态之间的关系．     

Effect of interface layers on electron field emission properties of amorphous diamond films

Hydrogen-free high sp~3 content amorphous diamond (AD) films are deposited on three different substrates——Au-coated Si (Au/Si), Ti-coated Si (Ti/Si) and Si wafers. Electron field emission properties and fluorescent displays of the above AD films are studied by using a sample diode structure. The compositional profile of the interfaces of AD/Ti/Si and AD/Si is examined by using secondary ions mass spectroscopy (SIMS). Because of the reaction and interdiffusion between Ti and C, the formation of a thin TiC intermediate layer is possible between AD film and Ti/Si substrate. The field emission properties of AD/Ti/Si are sufficiently improved, especially its uniformity. A field emission density of 0.352 mA/cm~2 is obtained under an electric field of 19.7 V/μm. The value is much more than that of AD/Au/Si and AD/Si under the same electric field.     

白蚁防治方式转型升级的5PS路径思考

党的十七届五中全会进一步指出,坚持科学发展,坚持经济发展方式转变。白蚁防治行业应积极贯彻党的方针政策,努力在尽可能短的时间内,实现传统的白蚁防治方式向现代虫害综合治理方式转变,积极推行环保型白蚁防治新技术,通过5Ps路径（5Ps,即Philosophy,Policy,Participation,People,Publicity）,实现人和自然的和谐统一,实现白蚁防治与经济社会的协调发展,实现白蚁防治方式的绿色跨越。     

浅谈实现白蚁防治方式转型升级的人才培训思路与措施

从分析现阶段白蚁防治行业教育培训的紧迫性入手,通过揭示白蚁防治从业人员素质和能力的知识综合性、作业自律性、技术进步性特点和要求,提出白蚁防治从业人员教育培训的思路和措施:一是形成全行业重视继续教育的氛围;二是构建教育培训的机制和实施平台;三是加强教育培训的基础建设.为白蚁防治行业推广应用新技术夯实人才基础.     

张家港电视台总控系统简介

电视台的总控系统是将相互独立的各频道的播出系统、节目制作系统以及各直播单元有机地结合在一起，通过对信号的统一管理和集中处理，以达到资源共享、整体调控的目的，降低了电视节目播出的成本，提高了播出的灵活性和安全性。     

电影课促进学生素质提高

优秀电影集合着人类数千年的文明成果。一部好的电影甚至对人的一生都能产生重大的影响。电影课的开设，能提高学生思想道德素质，激发学生学习兴趣，拓宽学科知识覆盖面，培养创造性思维，发挥创新才能，为素质教育提供有效的手段和途径。     

V槽结型场效应晶体管在模拟集成电路中的应用

结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、动态负载和恒流源,可以提高电路的性能。但是,在模拟集成电路里,外延层厚度、扩散深度被双极型晶体管要求所固定。因此,采用一般平面J-FET存在以下二方面的限制: 第一,对J-FET参数的控制,在工艺上比较困难。第二,通常只能把P沟J-FET做进双极型集成电路里,要制造内含N沟低阈值电压的J-FET则是十分困难的。为此,采用了这种新的J-FET结构。它与一般平面的J-FET结构主要不同处是具有V形槽沟道区。顶控制栅沿着V形槽边壁。由于沟道区非