基于端面耦合的InP基激光器/硅光波导混合集成技术研究

针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题,提出了一种1.55μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法。使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺,设计并制备了倒拉锥型端面耦合器,与锥形透镜光纤耦合效率为36.7%。采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8%,1 dB耦合对准容差横向为1.2μm,纵向为0.95μm。     

n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光电阴极理论建模与仿真

场助光电阴极与通常的负电子亲和势光阴极相比,能显著延长长波阈值,因此在近红外光探测中有着广阔的应用前景。本文利用二维连续性方程建立了n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光阴极的电子发射模型。通过模型模拟得到了电子发射电流,并计算了外量子效率。分析了不同偏压下外延层的掺杂浓度和厚度对量子效率的影响,根据仿真结果及制备条件限制,确定了阴极外延结构的最佳参数:n-InP接触层的掺杂浓度为1×10¹⁹/cm³,厚度为0.2μm;p-InP发射层的掺杂浓度为2.2×10¹⁸/cm³,厚度为25 nm;p-InGaAs吸收层的掺杂浓度为5×10¹⁷/cm,,厚度为3μm。对电极和发射面的宽度进行了模拟,发射单元表面的宽度最佳范围为5～8μm,并分析了不同偏压下电极宽度和发射面宽度对量子效率的影响。为场助光电阴极的结构设计和应用提供了理论基础,有利于场助光电阴极的制备。n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光电阴极有效提高了发射电流效率,室温5 V偏压下外量子效率在1.55μm...     

微型低功耗EBAPS相机技术

极弱光成像或者单光子成像在夜视、侦查以及空间科学等诸多领域都有迫切的应用需求.电子轰击型有源像素传感器(Electron Bombarded Active Pixel Sensor,EBAPS)具有高灵敏、高分辨率、低噪声、小体积、低功耗的特性,正成为新一代先进的极弱光成像传感器.针对自主开发EBAPS的应用需求,选取了国内生产的有源像素像传感器(Active Pixel Sensor,APS)进行了相机电路开发.并针对穿戴式的资源约束,选用了小尺寸、低功耗的FLASH型FPGA为主控芯片,完成了APS相机电路的软硬件设计与开发.测试显示,在视频工作情况下,整机功耗0.6 W,电子学噪声6.7 mV,基本实现了微型低功耗的相机要求,为穿戴式EBAPS相机研制奠定了基础.     

大鼠海马CA3区锌的分布及缺锌后亚细胞水平锌的变化

通过液体缺锌饲料灌胃的方式建立单纯缺锌模型，采用Ｔｉｍｍ’ｓ组化法，电镜下观察海马神经元亚细胞水平锌的分布和反应颗粒数目的变化。结果见：（１）锌浓集分布于正常大鼠海马苔藓纤维终末的囊泡内，其中以ＣＡ３区放射层最多，其次是分子层和锥体层，在突触间隙内也具锌存在。（２）缺锌时，海马神经元亚细胞水平锌的分布模式与对照组无区别，但锌反应颗粒数目明显减少，本实验从一定程度证明；（１）．海马神经元的锌与神经元     

缺锌大鼠海马生长抑素神经元突触结构的变化

实验采用液体缺锌饲料罐胃的方式使大鼠缺锌两周，采用ＡＢＣ免疫酶技术，电镜下观测了海马生长抑素（ＳＳ）神经元突触结构及其内线粒体数目以及含有不同级数量（〈１０，１１～５０，〉５５）ＳＳ阳性囊泡突触比例的变化，结果表明：在缺锌状态下，海马ＳＳ神经元突触结构内线粒体数减少（Ｐ〈０．０１）少于１０个囊泡的ＳＳ阳性突触增加，而大于５０个囊孢的ＳＳ阳性突触则明显减少（Ｘ＾２＝１０５．１８，Ｐ〈０．０５），说明     

日盲紫外真空探测器件和组件技术研究

日盲紫外探测技术具有增益高、信噪比高、虚警率低、功耗低和体积小等优点,是导弹预警、电晕检测等应用领域的关键核心技术。本文从日盲紫外探测器件的实际应用出发,简述了紫外像增强管、日盲滤光片和日盲紫外ICCD/CMOS组件的结构、技术特点和工艺技术研究进展情况,分析了相关技术的未来发展趋势。     

混合式光电探测器

混合式探测器(Hybrid Photodetector,HPD)作为一种新型的光电探测器件,是真空与半导体类结合型探测器件。HPD包括沉积在输入光窗表面的光电探测阴极、固态半导体阳极芯片和保持系统真空度的固态阳极。工作时,光信号通过沉积在输入光窗表面的光电阴极转化为光电子,经过高能电场加速后获得高能量轰击阳极半导体芯片表面,产生大量的电子空穴对,电子空穴对在半导体内部进行迁移,并通过自身的雪崩效应实现倍增,最终以电流信号输出。该探测器摒弃了传统的光电倍增管的微通道板(Micro Channel Plate,MCP)等倍增器件,克服了倍增单元信号易饱和的缺陷,增大了探测器的动态范围。HPD探测器综合了光电倍增管的高灵敏度和半导体芯片优异的空间和能量分辨率,具有探测面积大、探测灵敏度高、倍增效应强、动态范围宽等优点。在高能物理、医学成像和天体物理中有着重要的应用。此外,该探测器具有多种结构,分为近贴聚焦结构、交叉聚焦结构和漏斗聚焦结构,能够满足不同使用范围的探测需求;随着半导体阳极技术的发展,HPD阳极从单一芯片逐渐过渡到阵列式阳极结构,满足了大面积探测的需求。同时数字式读出和倍增信号技术的封装技术的发展,提高了HPD探测器的信号倍增和读出速度,改善了器件的集成化程度,有利于探测信号读出速率和信噪比的提升。近年来,其单光子计数和高动态响应等能力逐步被重视,将会在未来的光电探测领域发挥更为重要的作用。     

基于增加稳定时间的Ad Hoc网络路由协议设计

对Ad Hoc网络现有的最基础的路由协议作了简单介绍,在按需式距离矢量路由协议(AODV)的基础上,结合移动预测的概念及一跳备份路径的思想提出一个新的路由协议稳定性按需距离矢量路由协议(SAODV),该协议在路由发现的过程中牺牲最短路径的情况下,保证了路由产生后的最大稳定性,这在Ad Hoc网络节点无规则的状态下显得无比重要,随后在路由维护中引入了两跳路径的概念,在断开的两节点间通过移动预测选择两跳路径使路由重连,从而减少整条路由重新选择的延时。     

场助光电阴极研究进展

对场助光电阴极的发展进行回顾,介绍了场助光电阴极的工作原理,系统总结了三种具有代表性的阴极结构,分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点,这种结构大多用于长波阈值达到1.3μm的场助光电阴极;InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度,响应时间快,有利于在条纹变像管中应用;InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层InAsP渐变层,对延长波长阈值非常有利,通过分析不同结构的特点及应用,讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点。