基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

采用GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的宽频段、大功率、高效率的功率放大器。通过load-pull技术牵引得出GaN管芯在此频段的输入阻抗和输出阻抗。在设计过程中,采用多节阻抗匹配变换器实现了宽带的功率分配和合成。此款内匹配功率管最终实现了如下性能指标:工作脉宽100μs,在400 MHz的工作带宽下脉冲输出功率大于800 W,漏极效率大于60%。     

VHF 600 W GaN功率模块研制

设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块.该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式.测试结果表明,模块在约220～270 MHz、工作电压46 V、工作脉宽3 ms、工作比30％的条件下,全带内600 W输出,附加效率大于75％,增益大于52 dB.     

基于缓冲环结构的功率模块气密性优化设计

多芯连接器因其体积小、密度高等特点被广泛应用于微波功率模块,但因热失配等问题导致气密性不良,严重制约了功率模块的可靠性.通过围绕功率模块气密失效问题,结合ANSYS有限元仿真工具,分析了多芯连接器漏气原因,并提出了一种显著降低多芯连接器玻璃珠最大拉应力的缓冲环结构.对改进的功率模块产品进行气密封检测及温冲试验,试验结果...