基于负载牵引的S波段130 W硅LDMOS功率放大器研制

研制了具有高频、高增益特性的硅LDMOS芯片,利用切比雪夫变换电路设计了5Ω及10Ω的2套负载牵引夹具。采用大功率负载牵引测试技术进行了阻抗提取,完成了功率管内匹配及预匹配电路的设计,设计出一款工作频带为2.7～3.1 GHz的LDMOS宽带功率放大器。测试结果表明,放大器在32 V工作电压、100μs脉宽、10%占空比的工作条件下,输出功率大于130 W,增益超过12.5 d B,漏极效率达到46%以上。     

零偏置光电振荡器相位噪声的讨论与分析

光电振荡器(OEO)可以产生低相位噪声的微波信号。在OEO中,MZ调制器(MZM)可以偏置于正交工作点使基频信号的损耗最低,也可以工作于零偏置点从而得到倍频信号。在MZM零偏置的OEO中,利用电分频器将倍频信号分频得到基频信号,从而构建环路振荡器。本文对这2种OEO(MZM正交偏置和MZM零偏置)的相位噪声进行了理论分析。由理论分析可知,MZM零偏置OEO的相位噪声优于MZM正交偏置OEO。根据仿真结果,可以发现MZM零偏置OEO的相位噪声噪底比MZM正交偏置OEO的相位噪声低3 dB。另外,MZM零偏置OEO的振荡模式间隔并不会受到电分频器的影响。     

高功率微波效应的多物理场建模方法研究

为了实现对微波器件高功率微波效应的分析,主要从不同尺度半导体器件和波导器件出发,基于具有谱精度的谱元时域法,开展从微米尺度到纳米尺度半导体器件电热耦合一体化分析的方法以及高功率微波气体放电效应及抑制机理的研究.得到了半导体器件在电磁信号作用下发生的电热参数分布变化规律和微波器件在高功率微波下发生的气体放电及其抑制机理,根据以上相关效应机理,可为复杂电磁环境中的器件设计提供理论指导.     

基于多物理场仿真的超宽带大功率电桥设计

为满足大功率组件中功率合成的需求，设计加工了一款表贴式超宽带大功率电桥。该电桥采用蛇形带状线，优选低损耗、高热导率的介质板（SJ9350H），降低介质厚度等方法，极大地减小了器件尺寸。同时采用多节定向耦合器结构，利用各节耦合器反射波彼此抵消原理，实现了超宽带特性。在电桥端口处进行半开帽处理，可将内部热量通过介质传导和空气对流方式散发出去，提升了电桥的耐功率能力。文中还采用COMSOL多物理场软件对大功率工作状态下电桥的电场与温度进行了电热联合仿真。测试结果表明，该表贴式超宽带大功率电桥的工作频带为0.2～1.0 GHz，电压驻波比小于1.3，插损小于0.6 dB，平均抗烧毁功率大于350 W。