低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性

在80～300K的温区范围内测试了掺铬、掺碲的砷化镓单晶及中子辐照后高阻P型直拉硅及区熔硅的正电子湮没寿命谱。谱仪的FWHM为350ps,每个数据点的积分计数约10~6。实验结果如图1所示。     

MOS器件鸟咀区非本征电容研究

在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给出了Ｃｇｂ０随Ｖｇｂ变化的经验公式．     

制备~(22)Na薄膜源的一种方法

正电子湮没技术中最常用的放射源是~(22)Na 薄膜源。通常把~(22)Na的溶液滴在Ni箔或Mylar膜上。由于正电子在Mylar膜上的湮没,在寿命谱中往往有一个百分之几的长寿命成份,这对含有长寿命成份的样品的测试分析甚为不利。用1—2μm左右厚度的Ni箔作为~(22)Na的衬底是比较理想的,但由于国内制造Ni膜受净化环境及其它条件的限制,制备的1—2μm的镍箱中存在很多针孔,用它作衬底制备~(22)Na薄膜源就有一定的困难,也不安全。为此,我们摸索了制备~(22)Na薄膜源的一种方法:利用有针孔的1.7μm的Ni箔,涂上一层-0.5μm左右的塑料薄膜作为衬底,比较安全可靠,用有无塑料膜保护的薄膜源对同一样品作了寿命谱的对比测试(见表)。     

几种电迁移（Electro migration）寿命评估方法的探讨

电迁移失效是影响大规模电路可靠性的一个重要因素，通过电迁移的可靠性实验可以评估它的寿命。本文介绍了三种不同的评估方法，比较了它们的优缺点和近似条件，并用实例比较了相应的评估结果，使读者在评估电路电迁移寿命或进行电迁移实验时对三种方法有一个正确的选择。     

氧本征吸除工艺的实验研究

通过红外吸收测量、带电粒子活化分析及腐蚀后的金相观察,证实了经三步热处理退火后的CZ硅片,表面层氧外扩散而形成“清洁区”,体内氧沉淀形成高密度的缺陷区。采用中子活化、C-T测量、p-n结试验等技术,证实了氧本征吸除的吸杂效果。     

MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究

随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响．本文研究了窄沟器件（Ｗ＝１．２μｍ，２μｍ）中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律，并对窄沟器件模型提出了修正公式．