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1.
综述了离子注入Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的现状,特别是叙述了离子注入HgCdTe的损伤分布,掺杂效应,注入离子分布及退火特性。
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2.
本文概述了离子束工艺,举例说明离子注入在半导体器件制作中的应用。
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3.
本文介绍了高能离子注入的射程分布、损伤分布及退火,最后介绍了高能离子注入的主要用途。
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4.
本文阐述了离子注入设备用于半导体掺杂过程中各种注入参数的物理极限,并以LC—4型600KeV高能离子注入机为例来说明。
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5.
本文概述了离子注入Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的离子纯度,非晶/再结晶的机理,并讨论一些离子在GaAs、InP、GaInAs及四元化合物中的分布以及衬底对注入层特性的影响。
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