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在微机上用分子动力学方法模拟了熔Si淬火制备a-Si的过程。硅原子间的相互作用势采用Stilinger-Weber势。受计算量的约束,淬火速度一般很高,此时采用这种势无法直接从熔Si得到a-Si。本文作者采用1000K左右的体积一次性膨胀法克服这一困难。对模拟制备的a-Si的径向偶对分布函数、键角分布函数及配位数的分析表明,a-Si中的四面体网络结构已得到了比较好的恢复。对制备过程的分析则显示,体积膨胀及随后的弛豫所导致的三体能大幅度下降是使体积一次性膨胀法有效的主要原因。 相似文献
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低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备 总被引:4,自引:1,他引:3
利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整,薄膜中存在较多的非金刚石碳相.Hall效应测试表明薄膜的导电类型为n型,电阻率为0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为2 .4 0×1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为1 0 3cm2 / (V·s) ;较低的电阻率是薄膜中存在sp2键和掺入的硫杂质等多种因素作用的结果 相似文献
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硼磷共掺杂n型金刚石薄膜的Hall效应、红外光谱和EPR研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少。EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率。 相似文献
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采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构,75 0℃时(1 0 0 )取向的Co Si2 生长显著.此外,在微波作用下,无需先形成富Co的Co2 Si和Co Si,就能直接得到稳态的Co Si2 ,不同于常规的热处理.分析认为这是因为微波可以促进固相反应中Co原子的扩散,有利于Co Si2 形核生长 相似文献